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对于三极管的工作原理你还记得多少,快来复习一下吧

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发表于 2019-12-6 14:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程,进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3(a)所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3(b)所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。
. B  a' C( F& z% D
+ [- ?1 y) r- W8 _' w' m( k1 S9 H
# |$ g0 B( j2 w* k3 O2 m5 [
1、发射区向基区发射电子
1 d( T/ \. P: v& C: c4 U; d/ ~
. v$ y) }0 Q7 X+ F2 D" X

1 N: W$ t% y" ]- h电源接通后,发射结为正向连接。在正向电场作用下,发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此,发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区,形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然,基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区,形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低,与从发射区来的电子流相比,# B1 F0 X( W8 R! r8 X1 o

) @; M" Q: N' N% z9 Y; C! Y

+ L# y& W' J7 dIEP可以忽略不计,所以发射极电流为:
8 S/ @6 Y+ f+ f0 z; l5 m0 N' F8 i! ~. ^% j; ~* G% o6 g
/ S/ e- m& i; Q7 O: M& {+ T
2、电子在基区中的扩散与复合
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' a* i! z1 ]3 U8 @! t
* `8 c$ x5 i3 U" W
从发射区扩散到基区的电子到达基区后,由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大,靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中,电子有可能与基区的空六相遇而复合,基极电源、EB不断提供空穴,这就形成了基极电流IBN。由于基区很薄,而空穴浓度低,电子与空穴复合的机会很少,大部分电子继续向集电区扩散。此外,半导体三极管工作时,集电结为反向连接,在反向电场作用下,基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c因基区载流子很少.电子更少,故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小,而且与外加电场的大小关系不大,它被称为集电极反向饱和电流因此,基极电流为:
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- M1 y  o$ ~! e3 R" H: g+ P& B$ W
* ^* a6 k1 d6 c4 e/ g
3、集电极电流的形成
9 \8 b- ]/ W2 r- T! P2 i
% Y3 u% m* i+ u
; Z5 ^. N0 M2 K* s% r
由于集电结加的是反向电场,经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的,所以受到拉力,加速流向集电区.形成电子流ICN。如果考虑集电极饱和电流ICBO的影响,集电极电流应为:/ T6 S6 B5 d) L1 d; F1 Q9 ^9 L$ h
5 V6 S& I8 I. D6 o- a/ A
7 c- N1 @2 j0 I3 l
从半导体三极管外电路看,流入管子的电流必须等于流出的电流,所以# H0 t7 P& w, b: t) Y
, ?, B6 h5 z9 Q' Q& V
( b4 v- Z# T: S
从半导体三极管电流传输过程中可以看出,集电极电流IC很大,而基极电流IB很小。另外,由于三极管本身的结构已定,所以IC和IB在相当大的一个范围内总存在一个固定的比例关系,即4 |  m4 n1 \4 \6 F. u2 C. l
% Z9 Y# M/ o" l" _+ E9 V# ?- L
4 Q& w3 h* p% h, h. ^1 K* h
其中β表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数,β大于1,一般为20-200。
3 u$ Q& L: Q( z# O6 y
6 Y6 o; R6 \! ~! s% M
- U4 P. y; ]8 v# Y0 l# {
由于IC和IB存在一定的比例关系,而且IE=lC+IB,所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用,即把发射极电流IE按一定的分配关系分成IC和IB。IC远大于IB。因存在这种分配关系,所以只要使IB略有增加,IC就会增加很多,这就起到了放大作用。
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    发表于 2019-12-6 18:15 | 只看该作者
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