MOS管电路周边的的几个电阻都是什么作用？

uperrua

# k  j+ {2 S3 A% C2 `: o' k( C图2-14电调A相的上臂和下臂(摘自MK项目V1.2版本)


2 }( @2 x. L: A9 G首先要明确一个概念，模拟电路不是软件编程、非0即1，而是一个连续变化的过程。无论是电容上的电压还是电感上的电流，都不能突变，否则将产生灾难性的后果。上跳沿和下降沿并不是越陡峭越好,有时候在设计中甚至故意添加一些电阻让上升下降沿变得平缓以保护元器件。当然，如果你能在确保安全的情况下，尽可能能地提高上升下降沿的频率的话，你就是模电设计高手了。


+ r3 H0 t: v) J! C. K- P; S! S, V先来看R17,它有三个作用，其一是防止震荡，其二是减小栅极充电峰值电流，其三是保护NA-场效应管的D-S极不被击穿。先来看第一点，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电压突变的情况下可能和栅极电容形成LC振荡，当它们之间串上R17后，可增大阻尼而减小振荡效果。第二，当栅极电压拉高时，首先会对栅极电容充电，充电峰值电流可大致计算为： , 可见已经超过了单片机的I/O输出能力，串上R17后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。第三，当栅极关断时，NA-管的D-S极从导通状态变为截止状态时，漏源极电压VDs会迅速增加，如果dVps /dt过大，就会击穿器件，所以添加R17可以让栅极电容慢慢放电，而不至于使器件击穿，100 欧是比较通用的做法。


8 J$ X# b+ J' i
接下来看R16，其作用是下拉型抗干扰电阻。当单片机刚上电时，IO口一般都处于高阻态，如果没有R18，栅极电压就处于悬浮状态，可能意外使场效应管导通，R16的选值范围没啥特别的讲究，笔者曾经用1.8k 和180k都仿真过，看不出对输出波形有明显影响。

7 r. h1 J# g& x5 K0 [

1 w# R. ~% T# g" Z/ h; W) H再接下来看R2，它的作用是上拉NA+场效应管的栅极，其阻值不能太小，太小会造成三极管导通时承受过大的电流；同样，阻值也不能太大，太大会导致场效应管的栅极电压上升缓慢，而影响开关性能。关于这点再多说两句，如果阻值太大，这个时候的影响场效应管开关速度的瓶颈不在MOSFET的栅极电容上，而是在三级管的BC极电容.上!当STEUER_ A+从低电平变高电平后，VCC首先会通过R2给三级管的BC极电容充电，如果R2太大会导致充电速度缓慢，从而导致R2两端电压变化缓慢，进而影响场效应管的栅源极电压上升速度。网友lijeamnd兄做了个很有意义的实验:在三极管的BC极并了个钳位二二极管，强制不给BC极电容充电，然后发现场效应管的上升下降沿都有明显的改善。此君现在正在研究导航算法，在论坛诸位四轴达人中实力不俗。lieamnd 写的关于调试无刷电机的两篇心得帖子都很有分量，链接在附录二中给出，大家有兴趣的话可以去看一-看。
6 Y2 e* A4 B6 I  J; e0 h7 V




# c3 ]. Y* F) ~. x8 Q

ExxNEN

谢谢分享

CCxiaom

赞一个