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可控硅电路中的电容和电阻分起什么作用

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发表于 2019-12-4 14:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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( Y9 V0 w: f  E  V3 i# s, [' Y9 Z
; j* [9 e6 M. ?: p- i
, N( g" O( Z; i6 V5 S5 ~

2 ~  @6 k& O$ ]; Q* v* ?R8 / C2 是高通滤波,把可控硅导通、关断所产生的高次谐波短路。4 @& I  _- U5 H8 Z0 y: T5 n5 q& c$ P
计算依据:高通低端的截至频率大于市电频率。具体大多少,靠经验看着办,一般在市电5倍、十倍。/ c. s. C( _6 X4 g% {9 J

  |0 \! e& S8 mR6、R7都是光耦输出侧的负载。
1 z! H; p& \' D) n' Z, vR6有点保护作用,可有可无,不宜大。
! h: o" Y& c5 ^" c6 N1 h0 AR7很重要,提供可控硅导通所需要的压降。阻值 = 可控硅导通的最低压降 / 光耦导通的电流,稍取大一些 。
, S+ W" H2 z7 G3 j
6 q( Y3 W, Q7 Q# Y( _! R9 L7 N+ C. A
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