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晶体管的耗散功率 # p6 S! e1 j( J6 @. h, {% h
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C,锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去.晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。 ; j* m" I& Z6 |: m+ a$ @6 U" x
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5 ~# b6 m8 O, ^4 k( J2分类/耗散功率; k, B# x. e6 ^; n( B
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 ) B$ d3 q) w2 C4 M
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3原理/耗散功率编辑1 U+ ^$ T3 w6 ^9 N' ~) s4 c$ `2 Q
如果给晶体管发射结施加正向偏压,给集电结施加反向偏压,使晶体管正常工作,那么电源在晶体管总的耗散功率为:.实际使用时,集电极允许耗散功率和散热条件与工作环境温度有关,增加散热片或增加风冷却,可提高PCM。所以在使用中应特别注意值IC不能过大,散热条件要好。 耗散功率和晶体管的热阻有很大的关系.而晶体管的热阻是表征晶体管散热能力的一个基本参量,该参量对于大功率晶体管的设计,制造和使用尤为重要.所谓热阻就是单位耗散功率引起结温升高的度数,其单位为℃/W。可由下面的公式表示: [url=] [/url] 由热传导的途径,可以把一般晶体管的热阻分为两部分,即:9 L+ Z' N. f1 U4 a& Z
其中的是热流由管子底座向周围空气或其他介质散热的热阻,是热流由集电结至晶体管底座的热阻。热阻和晶体管的封装有很大的关系。 集成电路的热阻和晶体管的热阻大至相同.集成电路(IC)的散热主要有两个方向,一个是由封装上表面传到空气中,另一个则是由IC向下传到PCB板上,再由板传到空气中。当IC以自然对流方式传热时,向上传的部分很小,而向下传到板子则占了大部分,以导线脚或是以球连接于板上的方式,其详细的散热模式不尽相同。
* N/ \* j+ P1 Q4 L/ X; Z3 A, `封装热阻的改善手段主要可透过结构设计、材料性质改变以及外加散热增进装置三种方式.其中影响最大的加装散热器,但这会增加制造成本和复杂性[1]。 : z x" Z, ]6 e/ u- c7 \5 ?. L$ J
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4设计计算/耗散功率编辑编辑
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双极型晶体管BJT的总耗散功率为Pc=IeVbe+IcVcb+Icrcs≈IcVcb),并且Pc关系到输出的最大交流功率Po:Po=(供给晶体管的直流功率Pd)–(晶体管耗散的功率Pc)=[η/(1–η)]Pc∝Pc,即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比(η=Po/Pd是转换效率)。晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出功率的提高;最高结温Tjm(一般定为175oC)时所对应的耗散功率即为最大耗散功率Pcm。为了提高Po,就要求提高Pc,但Pc的提高又受到结温的限制,为使结温不超过Tjm,就需要减小晶体管的热阻Rt;最大耗散功率Pcm∝1/Rt。最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为(Pcms≥Pcm):稳态时,Pcm=(Tjm–Ta)/Rt;瞬态时,Pcms=(Tjm–Ta)/Rts。 提高PCM的措施,主要是降低热阻RT和降低环境温度Ta;同时,晶体管在脉冲和高频工作时,PC增大,安全工作区扩大,则最大耗散功率增大,输出功率也相应提高。 2 D, z' Y) b9 a/ E+ |6 X5 H/ K
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7 u' ~6 o1 ~' vMOSFET其最大输出功率也要受到器件散热能力的限制:Pcm=(Tjm–Ta)/Rt,MOSFET的最高结温Tjm仍然定为175oC,发热中心是在漏结附近的沟道表面处,则Rt主要是芯片的热阻(热阻需要采用计算传输线特征阻抗的方法来求出)。 . r+ W3 W- }1 S' U/ J M* ]
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5三极管的耗散功率编辑
& ]5 p2 r7 N; \6 ^6 D4 Q三极管耗散功率也称集[2]电极最大允许耗散功率PCM,是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C,锗管的结温允许值为85°C左右。 要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去.晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 " d" w/ P/ J" y4 @
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7 f; I7 @. {' L5 b9 E 参考资料: : H/ c0 ]) P5 ]/ J1 x# D( ?
1. 黄泽荣, 彭建春 肖文娴,等. 基于耗散功率转归分量的网损微增率新算法. 电力系统及其自动化学报
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2. 三极管的耗散功率
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