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这份mos电路设计可以参考一下" H4 ]- u% W) `
N1 K+ `3 v( a- E4 C
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t4 a T6 | S5 K0 a# r7 Y3 K$ X6 q* M* q
7 s, v% `% `0 {3 l; E9 n4 kMOS管不会接反，MOS管经常这么用于防输入电压接反，用MOS管的压降远远小于二极管。两个三极管组成了过流或者说是短路保护电路，左边三极管使两个三极管的基极电压保持在4.3V左右（假设Vbe=0.7V）,则当电流过大导致MOS管的压降增大，右边的三极管发射极电压将小于5V，由于基极电压不变，发射极电压减小使Vbe减小，Ic电流减小，MOS管栅极电位降低，导通电阻增大，电路电流减小。
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9 H$ G& N# j( V+ R. O0 O3 z# [因为供电电流比较大，在2A左右，如果单是一个二极管的话，0.3/0.7 V x 2A = 0.6/1.4w，功耗还是很大的；所以需要用MOSFET，MOSFET导通阻抗在m欧级别，I^2 X R =0.16w 左右甚至更小。1 r/ ^0 m. ~; S: h l+ n
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发表于 2019-12-3 14:52
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