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【讨论】滤波电容和耦合电容

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1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??+ s. d+ T6 t( j0 L  M' d
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:
3 c- W$ ]) f4 D2 y" [4 j9 _3 ?1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
: E. v) ^5 s9 l/ G+ y2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
: R, W  d7 w) r) _7 A
. e3 C7 ?9 ^2 l: s请大家拍板

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3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的& A7 a$ X/ V) i4 {' C5 g' v
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线

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4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~
) O; u  l, T4 n' G. L& B  o何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?
$ i2 l+ H: m2 K! C负载有关系吗?
" S3 ?1 h6 o6 Y  ~请高手解答

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5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵5 o/ F9 T0 p* ]1 p
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
! l# ]$ x' u$ ]# y; `; a) M" x+ r8 H在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果; e7 v9 Z7 N7 z' M0 w
现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵% M( Y7 ?/ {) t; R0 |6 H. O9 K: V
原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~

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7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线
3 {$ x; o7 D) ]; _; ~9 S因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了

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8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵8 A4 s$ F7 t2 X/ W9 p9 F
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
2 u& C2 _( S9 \" ^. @在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
& T/ a* N1 O6 o# {: w现在的工艺中电容容值比 ...
6 [+ ]" _% c! s1 R0 L9 C3 c* ?Juger 发表于 2009-9-1 20:08

9 x- w# v0 _7 y/ c: _& v" j# m5 @# H$ N, C! k" H+ e
最后的说法是不符合客观事实的
, z! g( `) c" N  t3 f小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大; _5 ~: i  ~  o+ `8 q( T* Z
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
! N& S$ h9 ^) e; L( |电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f9 u$ l, `# y( C) L# o( ^
当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR& s( I2 \; U: R
而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
) A# S& q* o8 ?9 h可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号

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9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
' z4 ^% V* Z* m; D/ ^' `. C小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大. t/ L$ Y3 ~: J/ L' b! X
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
6 O3 Q/ O9 B/ T% C+ N' ]电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f) W9 D* O& f# q2 z% o; G# }% T3 p$ d
当 ...
; s4 C9 P8 U# f. [) F袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

3 c! a  [. |' r& {$ h9 r
5 G2 w! K9 t# r! g既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?9 f4 X1 ?. r' L  ~' Z
请问有相关资料吗?
5 ^# I2 E5 ^: g+ B# K  e3 H' ]那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了5 a$ r  y! ^% P, a! }
找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊

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10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。
# V- i. Z" M* a5 s8 r9 F: d. {3 {* U3 ^
主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。5 g! ^) R3 }+ _, G$ V# a/ {; j

: Q/ y8 h) P! P% [% m大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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