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TI常用器件选型
- c/ A5 K) f* I- L- k+ E1 半导体管
) L" }! B% N6 }) h0 F0 w4 ?8 p2 v1.1 ESBT( _4 E4 V- }4 ~+ S. @
STC04IE170HP N 沟道ESBT
5 o. \" B2 i' k3 h4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V* o# ?2 [7 R$ ]+ B& z
1.2 IGBT
. d8 k0 B3 w, ]# \; Q1.2.1 600V
) o- j" W; Q5 f% `STGD3NB60F N 沟道IGBT
/ H. p4 y7 }1 @# A3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V
) p5 a# M; F; i |+ R* F5 AIRGffi6B60DK N 沟道IGBT
/ [3 w) @; F' i7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V
9 r% E1 l' }9 x! |1 e& h4 e7 B9 LIRG4IBC30W N 沟道IGBT
. U) {; z7 s/ k" ~8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V& e- k+ T7 L2 w7 T
IRG4PC30W N 沟道IGBT( O; P' I; w2 c# V! u
12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V/ ^- k2 U3 U; [6 ^/ u4 K, Y6 o
IRGB4056DP N 沟道IGBT+ D M0 ^6 \/ n. N$ @0 M
12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf
7 F7 J2 g' G! G0 |2 a) x9 DIRG4PC40W N 沟道IGBT* J6 [" u" u; C8 V0 A1 O
20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V
; X$ ]. | @* {- @* j5 g5 bIRGB20B60PD N 沟道IGBT9 T8 ?4 o6 [: `- U$ d* \
22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V, D& n7 I Z. t2 x5 S
IRG4PC50W N 沟道IGBT0 T2 C: ~, F! h9 P3 _
27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V
' {8 x' E0 ]4 W$ n- g" LIRG4PC40S N 沟道IGBT
. \8 u0 E; v1 E# i7 w, \: F# b31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V
6 c) i) u8 U% v5 mIRG4PC50S N 沟道IGBT5 Y7 B- T7 n& G' T6 i
41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V0 p* C* X) l5 @. U2 `3 v
IRG4PC60F N 沟道IGBT- Z; \9 k9 e- Q5 `: i0 L
" R0 S) ]( a. p
, Y% ^( |6 ~6 s9 ?7 h, G. A' g2 c$ E, W/ d# j
# O" C8 w8 m7 ]/ P6 F9 }
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
