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国产半导体器件型号的命名方法

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  • TA的每日心情
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    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-11-18 09:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    国产半导体器件型号的命名方法
    % P5 d, J1 E) B/ D# H# t1. 国产半导体器件型号由五个部分组成
    4 @( X& S/ W3 H4 r1 A第一部分;用阿拉伯数字表示器件的电极数目( O; I. f  I$ s2 K( i& K6 d+ t* @
    第二部分;用汉语拼音字母表示器件的材料和极性
    9 W  N. O% w. f: G第三部分;用汉语拼音字母表示器件的类型/ |" L. R# A, ~4 G; w) E
    第四部分;用阿拉伯数字表示序号
    + B: C/ m( l# ~第五部分;用汉语拼音字母表示规格号; t4 n- o6 V: R+ I0 Z
    注:场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三。四、五部分。
    7 a' i0 D' L% p; C) t2. 半导体器件组成部分的符号及其意义如下表:
    0 F+ }6 H" P- y" B; g# P) y' Z9 W- |表 1 国产半导体器件命名
    完整资料见附件:
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