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国产半导体器件型号的命名方法

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  • TA的每日心情
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-11-18 09:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    国产半导体器件型号的命名方法+ ]: _! [' o, F9 ]) c6 c; i
    1. 国产半导体器件型号由五个部分组成4 ]# b, M% Y6 C6 W
    第一部分;用阿拉伯数字表示器件的电极数目
    / B/ P. p. l# \# a第二部分;用汉语拼音字母表示器件的材料和极性' `$ ?' N' i/ i, P/ W6 e% f8 V4 M
    第三部分;用汉语拼音字母表示器件的类型; ~' @/ m) k0 z( }) R1 ?* ^
    第四部分;用阿拉伯数字表示序号
    " f" ?) t' B9 A8 E  x0 |第五部分;用汉语拼音字母表示规格号: P" K0 q! H2 e% _. R$ s: {9 n7 G' k* r
    注:场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三。四、五部分。
    0 M- ^/ H. i4 ]4 y" p* @7 L* Z2. 半导体器件组成部分的符号及其意义如下表:. s: I. c( B6 K$ r
    表 1 国产半导体器件命名
    完整资料见附件:
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