电力电子器件试卷

Diabloa

电力电子器件试卷

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填空题：
　　1.电力电子器件一般工作在________状态。
6 e7 }$ ]& r. n9 z5 \7 ^　　2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
5 y) j5 c( k. b! `) U3 `6 d　　3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、 ________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
　　4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、 ________ 、________三类。
, k+ X+ v' \# t! ^4 [3 M4 \6 G　　5.电力二极管的工作特性可概括为________。
, X. V4 u9 r/ i* d4 |- c- ^4 D2 v　　6.电力二极管的主要类型有________、________、 ________。
　　7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
　　8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。
9 k6 J- m- @& i) r4 e　　9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。
0 d* n( v0 z5 Q1 l1 p0 }! x8 a3 {　　10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。
　　11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
　　12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
& P% E8 x0 l. d1 H) r- E( {; c　　13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。
　　14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
　　15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
. N. n1 u' q8 U% Z- t　　16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
8 H; ?. U: O* Y& w, a" l. S　　17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
　　18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。
" X+ y4 [: ~2 j+ w; A" c2 b　　19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
  r. Y$ G& m5 Q8 R　　20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
　　21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护 。
　　22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
& C' C+ S  `- g) x7 e- [　　23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。
7 o6 m2 c( B4 F. K　　24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。
　　25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。
简答题：
, ?' P- \, F+ Z, a" W　　26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？
　　27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义？

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        28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？
　　29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相导电性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？
$ Y, V8 r1 b' ^4 j　　30.使晶闸管导通的条件是什么？
  u7 A6 x) h! t# V$ ]　　31.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
2 t" ]2 c: H4 G7 S! v+ \　　32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
　　33.GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？

, \9 L7 B% i2 q( a6 t& r+ R　　34.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？
　　35.晶闸管的触发电路有哪些要求？
7 `4 P+ h  i0 a# n　　36.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
! n$ e& A; M7 g" x7 X. |　　37.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
7 B4 J) D( P3 G　　38.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各组件的作用。
4 y3 [, }3 N) I) m9 C, X　　39.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
6 b+ i  ]# \  h2 G& a( T8 h计算题：
　　40.晶闸管在单相正弦有效值电压220V时工作,若考虑晶闸管的安全裕量,其电压定额应选多大 ?

41.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。试计算电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全裕量为2，问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？

4 R' S" h+ ^% K

42.在题图1-42电路中，E＝50V，R＝0.5W,L＝0.5H，晶闸管擎住电流为15mA。要使晶闸管导通，门极触发脉冲宽度至少应为多少？

　　43.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

　　44.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、 Im3各为多少 ?

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CE_Manager

各位大侠，到了各显身手的时候了，
+ d7 |( P1 \; {4 Q$ ~5 k1~5题答案如下，请大家接龙：
1、开关；
  H5 }3 d0 I) F3 p2、通态损耗，开关损耗；
* Z5 Y, B8 u; h3 y, f# \# w3、控制电路、驱动电路、电力电子器件，保护电路；
4 ~% A; c$ B' _4、单极型、双极型、复合型；
: M1 D  S! h7 i6 M5、正向导通，反向阻断；
: D+ _. U3 t: z4 S3 [, @

重阳

6、普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管；7、小于；8丶正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止；9、大于；10、大于