KMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet

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KMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet 

$ B/ a- l; K4 r( Q. o! e. _0 v3 _KMFE10012M是一种多芯片封装存储器，它结合了16GB的EMMC和8GB的LPDDR3 SDRAM。

+ N" z2 j/ m* `三星EMMC是以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用MMC协议V5.1对内存进行简单读写的一种行业标准。

/ \$ ]1 _  ?+ B! L9 D$ d0 neMMC由NANDFlash和MMC控制器组成。对于NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压，而MMC控制需要1.8V或3V的双电源电压(VDD或VCCQ)。

; ?2 a* {' u2 Z! Z/ F' d* |使用eMMC有几个优点。它很容易使用，因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成。对NAND的任何修改或修改对th是不可见的。E主机作为嵌入式MMC控制器，将NAND技术与主机隔离开来。这将导致更快的产品开发和更快的上市时间。
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. s! u, ~; M: L" m& L* CeMMC的嵌入式FLASH管理软件(FLASH Transform Layer，简称FTL)管理磨损平整、块管理和ECC。FTL支持三星NAND闪存的所有功能，并达到最佳性能。
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8 {0 ~$ m( g3 v( ]- oLPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入引脚的数量。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。

这些设备还使用DQ引脚上的双数据速率结构来实现高速操作。双数据速率结构本质上是一个具有接口的8n预取结构。
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% a7 x9 }2 M8 D4 H. f' C对LPDDR 3 SDRAM的读和写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并对被编程序列中的被编程位置数继续进行。其随后是读或写命令。与激活命令一致的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。地址位R使用与读或写命令一致的电子注册来选择BANK和突发访问的起始列位置
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在正常操作之前，必须初始化LPDDR 3 SDRAM。以下部分提供了详细的信息，包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和Devi。
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KMFE10012M适用于移动通信系统的数据存储，不仅减少了安装面积，而且降低了功耗。该设备可在221球FBGA型.

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