TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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KMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet 4 L/ c/ d! Q$ S2 Q# |, G
; q" h \2 X& yKMFE10012M是一种多芯片封装存储器，它结合了16GB的EMMC和8GB的LPDDR3 SDRAM。
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/ w. p. I) j3 G6 x; v9 ?; v三星EMMC是以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用MMC协议V5.1对内存进行简单读写的一种行业标准。2 [# W4 p0 u! D t$ `% `2 n
/ |% Y+ z4 s% p' n, seMMC由NANDFlash和MMC控制器组成。对于NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压，而MMC控制需要1.8V或3V的双电源电压(VDD或VCCQ)。; A/ M7 k/ f5 U5 h% \
# P% z5 U- w' W2 k使用eMMC有几个优点。它很容易使用，因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成。对NAND的任何修改或修改对th是不可见的。E主机作为嵌入式MMC控制器，将NAND技术与主机隔离开来。这将导致更快的产品开发和更快的上市时间。; f. @2 @4 V( b0 c' ?. C
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eMMC的嵌入式FLASH管理软件(FLASH Transform Layer，简称FTL)管理磨损平整、块管理和ECC。FTL支持三星NAND闪存的所有功能，并达到最佳性能。* e+ k" l+ i* _3 B$ I7 E
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LPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入引脚的数量。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。
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+ ^/ z) E7 f$ x. \# P这些设备还使用DQ引脚上的双数据速率结构来实现高速操作。双数据速率结构本质上是一个具有接口的8n预取结构。 g$ O, @8 N& g' Y* Y0 V# r4 w3 D
: y. f; N3 U0 H4 b1 f对LPDDR 3 SDRAM的读和写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并对被编程序列中的被编程位置数继续进行。其随后是读或写命令。与激活命令一致的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。地址位R使用与读或写命令一致的电子注册来选择BANK和突发访问的起始列位置
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, x1 o5 G6 D* T8 I1 B$ c! g. I在正常操作之前，必须初始化LPDDR 3 SDRAM。以下部分提供了详细的信息，包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和Devi。9 w3 L! U# I) l/ I" R9 e& B
( F2 S1 o: c+ `KMFE10012M适用于移动通信系统的数据存储，不仅减少了安装面积，而且降低了功耗。该设备可在221球FBGA型./ L% O7 I2 O" l5 M% F
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& D7 Y& ]- d( o, Q3 RKMFE10012M-B214 规格书/datasheet
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发表于 2019-11-14 09:43
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