了解一下晶振和电阻元器件的器件特性

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. i5 b+ R+ f5 C$ N0 d: s" T! c一、晶振分为有源晶振和无源晶振两种。有源晶振一般为单端输出，无源晶振一般为双端输出。晶振被人们称为电路系统的心脏，一旦心脏停止跳动，整个电路板可能出现瘫痪。因此晶振的质量问题是很多厂商放在首位的考虑对象。常用的晶振电路如下图所示。
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晶振的关键参数包括：晶振频率、频率容差、温度频差、负载电容、等效串联电阻。
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' F2 \+ T( s8 P% Q1 s1. 晶振频率：晶振常用标称频率为1-200MHz之间，更高的输出频率也常用PLL将低频进行倍频至1GHz以上，我们称之为标称频率。晶体频率是首要考虑的晶振参数。

2. 频率容差：输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，称之为频率误差，用单位ppm来表示，即百万分之一。它是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。例如：12MHz晶振偏差为正负20ppm表示：它的频率偏差为12*20=正负240Hz。
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3. 温度频差：温度偏差表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时的工作频率的允许偏离值，单位也为ppm。
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1 Y* ^* E. h2 m- i# m8 O4. 负载电容：负载电容(CL)是关系到振荡回路能否正常的外围可调整器件。它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(注意：这个不是晶振的外接电容，而是外接电容和杂散电容的总合)。
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% Y) [& v" B, m" v其计算公式为：   
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- }  A2 j9 F  M  Z' F; n# M: G其中CL为负载电容，Cg和Cd为外接电容，Cs为杂散电容(寄生电容)。在实际晶振的手册中，一般会标注CL和Cs的具体数值，因此对于用户来说，只需要计算出Cg和Cd即可，一般晶振的外接电容的数值为12.5pF、16pF、22pF、30pF等。只有当CL为手册标称的数值时，其晶振的输出频率和频率误差才满足手册的标定值。(注：上图的C1和C5便是Cg和Cd的值)
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( v6 ?# u, |+ n& I5. 等效串联电阻：等效串联电阻就是ESR。这个值越小越好，越小晶振越容易起振；但是越小晶振的制造技术和工艺水平要求越高，价格也就越高。

% V1 s$ A" o* t$ y3 o7 E+ V二、电阻是电子产品中应用最为广泛的元器件之一，起到阻碍电流的作用。电阻的伏安特性曲线是线性的。
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电阻的关键参数包括：阻值、允许误差、额定功率、温度系数。

1. 阻值：电阻器上标示的电阻值。
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2. 允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称为阻值偏差，它表示电阻器的精度。例如：正负0.5%、正负1%、正负5%、正负10%、正负20%等精度。

0 v& e6 v# N7 m3. 额定功率：电阻器长期正常工作所允许耗散的最大功率。例如：1/20W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、4W、8W等功率。

4. 温度系数：温度每变化1摄氏度所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数；阻值随温度升高而减小的为负温度系数。一般在精密测量领域(例如电阻作为电流测量使用)，对电阻的温度系数要求较高，以保证测量的准确性。


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