元器件的完整型号以及各国命名规则说明

mytomorrow · 发表于 2019-11-13 15:22

EDA365欢迎您登录！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。为什么会有这种情况呢？问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。

完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。

器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。

一、后缀的用处

忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：

1、区分细节性能

比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。

2、区分器件等级和工作温度

比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度（民用级），TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度（工业级），其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。

3、区分器件封装形式

比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装（“C”代表温度，在上面已经解释）。

4、区分订货包装方式

比如，TI公司的基准电压芯片TL431 CD，如果要求是按盘装（2500PCS/盘）的采购，那么必须按TL431 CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则，按TL431 CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。

5、区分有铅和无铅

比如，ON公司的比较器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封装），如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。

后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。

不同的公司的前缀和后缀可能是不同的（也有少数公司的一些前缀后缀一致），这需要参考实际选用厂家的具体情况。

二、各国半导体元器件型号的命名方法

一、中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
4 _4 c' w; m: ~8 c, Y

2：二极管；3：三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
* b! X$ w. G' P y) Q

表示二极管时：A：N型锗材料；B：P型锗材料；C：N型硅材料；D：P型硅材料。
表示三极管时：A：PNP型锗材料；B：NPN型锗材料； C：PNP型硅材料；D：NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
% ~, o$ S; j. L4 ^/ g$ N. a" R

P：普通管；
V：微波管；
W：稳压管；
C：参量管；
Z：整流管；
L：整流堆；
S：隧道管；
N：阻尼管；
U：光电器件；
K：开关管；
X：低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)；
G：高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)；
D：低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)；
A：高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W)；
T：半导体晶闸管(可控整流器)；
Y：体效应器件；
B：雪崩管；
J：阶跃恢复管；
CS：场效应管；
BT：半导体特殊器件；
FH：复合管；
PIN：PIN型管；
JG：激光器件。

第四部分：用数字表示序号。( ?- J4 p/ Z- j d

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。1 [2 P: _. j! w

二、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
+ j F; m; _7 p9 \, f

0：光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管；

1：二极管；

2：三极或具有两个pn结的其他器件；

3：具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件；

┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。" A. L6 F7 D. Q( n

S：表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。( M# a: f, }) L9 u

A：PNP型高频管；

B：PNP型低频管；

C：NPN型高频管；

D：NPN型低频管；

F：P控制极可控硅；

G：N控制极可控硅；

H：N基极单结晶体管；

J：P沟道场效应管，如 2SJ—-

K：N沟道场效应管，如 2SK—-

M：双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
+ t* v6 a* v$ d

两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
& U- ]6 x0 R! l+ r8 G1 X! _0 d1 t

A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。- |- g0 Y. N0 E& W# _

JAN：军级；

JANTX：特军级；

JANTXV：超特军级；

JANS：宇航级；

无：非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。) c# o: u% i6 z9 g6 X- v

1：二极管；
2：三极管；
3：三个pn结器件；
n：n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
1 Q# m3 s* [# u* B& D ]8 f. m* ]

N：该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
$ z ^! f* \1 _3 c8 y( A

多位数字：该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件的不同档别。如：5 X( P/ N. C6 m) n& } ?: _: t

JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN：军级；
2：三极管；
N：EIA注册标志；
3251：EIA登记顺序号；
A：2N3251A档。

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。$ S, {1 _5 d7 l0 V2 F* z$ m" h) q

A：器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗；
B：器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅；
C：器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化镓；
D：器件使用材料的Eg <0.6eV如锑化铟；
E：器件使用复合材料及光电池使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
6 l+ k9 n) `# ]. ^4 C' Y3 M$ {

A：检波开关混频二极管；
B：变容二极管；
C：低频小功率三极管；
D：低频大功率三极管；
E：隧道二极管；
F：高频小功率三极管；
G：复合器件及其他器件；
H：磁敏二极管；
K：开放磁路中的霍尔元件；
L：高频大功率三极管；
M：封闭磁路中的霍尔元件；
P：光敏器件；
Q：发光器件；
R：小功率晶闸管；
S：小功率开关管；
T：大功率晶闸管；
U：大功率开关管；
X：倍增二极管；
Y：整流二极管；
Z：稳压二极管。