学习一下晶体管元器件的特性分析

haidaowang

7 H. A4 i- V" z; k4 ]  c9 M" i% u一、二极管(Diode)特性分析：二极管具备单向导电性，只允许电流由单一方向流过。晶体二极管内部由一个PN结组成，其普遍的制造材料主要采用硅或锗。一般硅二极管的正向导通压降为0.7V，锗二极管的正向导通压降为0.2V。

4 ~9 N  U; K, E( O- `(1)、二极管分类：二极管按照内部结构的不同可以分为点接触二极管、面接触二极管、平面型二极管三种。
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' ~+ d6 v8 p# L, y1 B4 N' j( ?点接触型二极管的PN结面积小，不能通大电流；但是其结电容小，因而高频特性好。

0 t; Z. f/ l) s面接触性二极管的PN结面积大，可以通大电流，但是其结电容大，因而高频特性差，适用于大功率的整流电路。

! g! k$ x# O9 S* g1 Q平面型二极管的PN结面积大，其结电容也较大，适合于大功率的整流电路。
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二极管的功能分类：整流二极管、开关二极管、稳压(齐纳)二极管、续流二极管、钳位二极管、保护二级管、发光二极管。
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  k- E8 g$ k0 g8 V: ~. F(2)、二极管伏安特性曲线图：


(3)、二极管主要性能参数：正向参数、反向参数、其他参数。
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3 E1 n1 W! N# q正向参数：启动压降、最大整流电流、最大浪涌电流
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反向参数：最大反向电压、反向击穿电压、反向电流

其他参数：反向恢复时间、最高工作频率
二、三极管(BJT)特性分析：三极管全称双极型晶体管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是将微弱的信号放大成幅度值较大的电信号，具有电流放大的作用，也用作无触点开关使用。三极管由两个PN结组成，其普遍的制造材料主要采用硅或锗，有三个引出端，分别为：基极B、发射极E、集电极C。

. n- z' X* k$ ~, N' K- n: k* b(1)、三极管分类：
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! o3 V: H2 [* e4 u+ m三极管按照结构可分为：NPN三极管、PNP三极管。

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: r6 F, m% m& u7 H三极管按照用途可分为：高频三极管、低频三极管。

三极管按照信号可分为：小信号三极管、大功率三极管。

+ C7 }" C+ \& H, Q( l3 |9 M4 _(2)、三极管的输入特性曲线和输出特性曲线：三极管的三种状态产生了三极管的两个应用场合：放大电路、开关电路。

2 A! j' C$ \# W0 f( i三极管处于截止区的条件：发射结反偏，集电结反偏。
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" c6 H$ Y  p" F; e% j& y三极管处于饱和区的条件：发射结和集电结都处于正偏。
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三极管处于放大区的条件：发射结正偏，集电结反偏。
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(3)、三极管主要性能参数：直流参数、交流参数、额定参数。

, W2 A6 j# Z8 G) _& y三极管的直流参数包括：直流电流放大倍数Hfe、集电极截止电流Icbo、发射极截止电流Iebo。
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( Z9 e7 N+ A2 S- m: {三极管的交流参数包括：交流电流放大倍数A。
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三极管的额定参数包括：基极电流、集电极额定电流、集电极-发射极间电压、集电极-基极间电压、发射极-基极间电压、集电极损耗、特征频率。
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+ x0 y8 j- S8 l0 h5 m- y! t三、MOS管(FET)特性分析：MOS管全称金属氧化物半导体场效应管，是一种把输入电压的变化转化为输出电流的变化的晶体管，具备电压信号控制电流的作用。MOS管有三个引出端，分别为：栅极G、漏极D、源极S，其中漏极和源极是可以对调的，并不会影响器件的性能。
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! i, @4 T1 \7 I* K' T(1)、MOS管分类：MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管两种，其中N沟道的MOS管类似于NPN型三极管；P沟道的MOS管类似于PNP型三极管。NMOS管在开关电源和马达驱动中应用非常广泛，因为其导通电阻小且容易制造，而且相比于PMOS管，其价格较便宜。



(2)、MOS管的传输特性曲线和输出特性曲线(以N沟道增强型MOS管为例)：

MOS管的输出特性曲线可分为：截止区、可变电阻区、恒流区。
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(3)、MOS管主要性能参数：栅极端参数、漏极端参数、其他参数。

% z1 {# Q9 ~0 z$ A栅极端参数：栅极-源极间开启电压、栅极-漏极间电压、栅极-漏极间击穿电压

+ D/ s, T  k4 V2 p8 p漏极端参数：漏极-源极额定电压、漏极额定电流、导通电阻、最大耗散功率
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7 k6 @. t3 \; z+ K! ^其他参数：极间电容、最高工作频率、低频跨导

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fanichicl

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