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一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-10-24 07:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件
    7 x* L" k( U9 P( N; K2 S3 L
    0 z" I; @4 g; O( o8 S1 N
    摘要
    4 y% K9 I! D3 t* P# i; c$ g7 A

    设计具有鲁棒性的电子电路较为困难,通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构,及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构,以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。

    2 z2 O( o+ k" C3 Y7 Z- @! V2 U6 V

    高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常,需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水 平(可由分立器件提供)之间进行权衡。


    2 J4 D) x: |4 t# x) ~* R+ r( ]

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。

    4 v8 {2 H! E" }3 {3 L& i7 x% F% [

    本文详细说明了由过电压事件引起的问题,讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点,还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势,最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。


    3 Q2 M0 b* P+ n2 K% I! _  Y过电压问题—回顾基础
    7 ^2 i/ f- d! S

    如果施加在开关上的输入信号超过电源电压(VDD或VSS)一 个以上二极管压降,则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置,而且电流将从输入信号端流至电源,如图1所示。这种 电流会损坏元件,如果不加以限制,还可能触发闩锁事件。

    * I0 ]0 I. }* {1 ~* d) L& B2 D- g

    7 E  ?6 J* ?( A. `" n9 c8 o
    & T* O: R9 \0 W# i# f; g
    0 A, P5 ]9 [0 y: U9 y2 U
    图1.过压电流路径。

    2 B- Y# ^% S+ Y" h+ S! n0 w
    3 |) |6 U4 N  `2 y6 Z

    如果开关未上电,则可能出现以下几种情形:


    7 s; q+ P3 r* ~& l  {) e  L4 T
    • 如果电源浮动,输入信号可能通过ESD二极管向上对VDD供电轨供电。这种情况下,VDD电平会处于输入信号电压减去一个正向二极管压降的范围内。
    • I如果电源接地,PMOS器件将在负VGS下接通,开关将把 削减的信号传至输出端,这可能会损坏同样未上电的下 游器件(参见图2)。注:如果有二极管连接至电源,它 们将发生正向偏置,把信号削减为+0.7 V。
      $ r1 P( B" t0 [/ X/ l8 `: F; @

    7 H: b0 I2 V1 O# h0 G2 f0 K5 J: Y2 v) B
    1 U6 A  H2 B$ g& C

    , z6 a) W, J# G, D. d& U* C: b. i
    图2.电源接地时的过电压信号。分立保护解决方案
    & L& O" x; V/ M

    + m# u: u3 Y: g' h

    设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。


    ! L& U& T& B0 C

    通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流,而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。

    但是,使用此类分立保护器件存在许多缺点。


    2 W8 v3 U* ]' c# u$ d- {) R
    • 串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
    • 保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容,从 而影响测量结果的精度和线性度。
    • 在电源浮动情况时时没有任何保护,因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。8 b8 p; c  q0 ^! v" U- I, c8 P8 O
    3 `6 v" M- ~0 K( X  A% d) o$ m
    6 ^0 I. p5 l7 X2 F& @- M8 _

    ) w7 m! }* \6 {0 g6 N
    图3.分立保护解决方案。传统开关架构

    # O3 ^9 ~5 n- ^9 S. _$ Y; w
    5 V- V# H7 g3 [1 r

    图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件(在图4的右侧) 中,ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管(连接至电源)。在 苛刻环境下,通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。

    & ~2 V; y" \6 o

    , H6 |- h7 k- C& p' F$ a1 b( a
    * Y" y3 ^# u/ @* Y% f4 N
    1 w% J+ U% N1 w" A* \
    . @0 c' ], _+ I8 v1 m
    图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。故障保护开关架构

    $ ^, T4 W' M; C* `+ F, U. \0 H7 e9 R

    故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替,输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此,输入端的电压可能达到工艺限值(ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V)。


    4 z/ l1 _  b8 A& d

    大多数情况下,ESD二极管仍然存在于输出端,因为输出端 通常不需要过电压保护。


    8 @, c, Y3 N" a" I) u$ b

    输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。


    ( o% ^- a. |/ q/ O' L* v* t8 {) x

    对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况,可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。


    0 q" Z# G7 j4 x/ h' a" O. x& Z+ d0 r* t; l$ I/ d: l5 ]
    ; b; c7 z4 R0 ?) K2 e) x3 s9 \! w

    : M* G5 z3 a& ]9 W& m  o* K* k1 _5 ~- T
    图5.故障保护开关架构。

    9 J% F% n8 E0 f& y
    3 g+ \% c9 d- R% `9 e

    开关的一个输入端发生过电压状况时,受影响的通道将关 闭,输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小,因 而其余通道能够继续正常工作,而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。


    8 Y1 u. _" ^3 X

    因此,故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管,而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。

    ( o6 Z! r1 N* a2 D: u! f, d
    ADI 故障保护开关的特性
    ' ]8 G( _# p6 S9 V- I  Y4 Z5 w5 K6 U3 ^/ W, r" C

    ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成,能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。

    + N( e' t8 O# {+ e1 K

    * t0 k- Q( [% J% A( Y( M! H

    & j2 D+ k0 r, M6 p2 z6 Y
    . ?9 X9 k4 W% B+ @% }& N/ C' @! q# }$ `7 T& x3 J
    图6.沟槽隔离工艺。防闩锁性
    6 c: Z5 N+ J, E- c
    % J2 u% Q3 _$ U/ X+ v& F

    专有高电压工艺也采用了沟槽隔离技术。各开关的NDMOS与 PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层。因此,它与结隔离式 开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而抑制了所有情况下 的闩锁现象。例如,ADG5412F通过了1秒脉宽±500 mA的 JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。


    & b5 B4 f6 W3 t6 x( @( H' x模拟性能! Q: W8 h- m' ?' \( O5 M4 `
    ! v" |3 b, y# X+ s/ @

    新型ADI故障保护开关不仅能够实现业界领先的鲁棒性(过 电压保护、高ESD额定值、上电时无数字输入控制时处于已 知状态),而且还具有业界领先的模拟性能。模拟开关的性 能总是要在低导通电阻和低电容/电荷注入之间进行权衡。模 拟开关的选择通常取决于负载是高阻抗还是低阻抗。


    2 e2 O+ ]" L4 K4 W5 W3 h) n低阻抗系统
    ' U% H5 p) T: \4 I' s* r6 W
    $ ]6 n' j) F# g# x8 {) a5 u% `

    低阻抗系统通常采用低导通电阻器件,其中模拟开关的导通 电阻需要保持在最小值。在电等低阻抗系统中—例如源或增 益级—导通电阻和源阻抗与负载处于并联状态会引起增益 误差。虽然许多情况下能够对增益误差进行校准,但是信号 范围内或通道之间的导通电阻 (RON) 变化所引起的失真就 无法通过校准进行消除。因此,低阻电路更受制于因RON平 坦度和通道间的RON变化所导致的失真误差。

    # C, [, I+ W! C$ R# l4 n

    图7显示了一个新型故障保护开关在信号输入范围内的导通 电阻特性。除了能够实现极低的导通电阻外,RON平坦度和 通道之间的一致性也非常出色。这些器件采用具有专利技术 的开关驱动器设计,能够确保在信号输入电压范围内VGS电 压保持恒定从而导致平坦的RON性能。权衡就是信号输入范 围略有缩小,开关导通性能实现优化,这可从RON图的形状 看出。在对RON变化或THD敏感的应用中,这种RON性能可使 系统具有明显的优势。

    2 E, ?; [# d2 e) o- O3 J

    # ~, J, |$ }5 d, H, O2 X/ r* a

    % p0 i+ Q2 f+ ^& q1 y- N( s' P/ k; \0 t5 x9 w- b. Z
    图7.故障保护开关导通电阻。
    2 S1 R  F) O: @, y4 O, L

    5 `6 u$ H  ^7 _( ?. h5 Q8 O6 G5 G/ e

    ADG5404F是一款新型的具有防闩锁、过压故障保护功能的 多路复用器。与标准器件相比,具有防闩锁功能和过电压保 护功能的器件通常具有更高的导通电阻和更差的导通电阻 平坦度。但是,由于ADG5404F设计中采用了恒定VGS方案, RON平坦度实际上优于ADG1404(业界领先的低导通电阻) 和ADG5404(防闩锁,但没有过电压保护功能)。在很多应 用中,例如RTD温度测量,RON平坦度实际上比导通电阻的 绝对值更重要,因此具有故障保护功能的模拟开关在此类系 统中具有提高其产品性能的潜力。

    - G& c7 i4 u( _3 \

    低阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时漏极输出变成 开路。

    $ U7 i% V+ t9 M& Q  u- ?
    高阻抗系统
    4 Z6 v& w5 r( X$ X
    ( f$ h% G- f7 D2 {  p

    在高阻抗系统通常采用低漏电流、低电容和低电荷注入开 关。由于多路复用器输出上的放大器负载,数据采集系统通 常具有高阻抗。

    6 i+ R- d5 B; p# C/ N
    • 漏电流是高阻抗电路的主要误差来源。任意漏电流都可能 产生显著的测量误差。
    • 低电容和低电荷注入也对快速建立至关重要。这可使数据 采集系统实现最大的数据吞吐量。
    • 2 r9 G; {( W4 n: R5 U2 W' ]; A

    新型ADI故障保护开关的漏电性能非常出色。正常工作时, 漏电流处于低nA范围内,这对在许多应用中进行精确测量至 关重要。


    8 \) G* D. |5 J

    最重要的是,即使其中一条输入通道处于故障状态,防漏性 能依然十分出色。这意味着,在修复故障前,可继续对其他 通道进行测量,因而系统停机时间得以缩短。ADG5248F 8:1 多路复用器的过电压漏电流如图8所示。


    # Q5 S3 _& [5 b- N8 Y& ]

    高阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时使漏极输出拉 至供电轨。


    * k& o5 w9 j6 b
    , x( U5 j- N5 L# \$ h  V0 X

    # h( s8 D& ]! u6 v  H% B6 O" C- ~& J! j) K1 ?" F6 o4 l
    ! I" E/ C$ a8 Q
    图8.ADG5248F 过电压漏电流的温度特性。故障诊断

    ! w+ V% j# l; V; H& }
    # Z! o4 d/ {( Z! i% B2 H

    大部分新型ADI故障保护开关还采用了数字故障引脚。FF引 脚是通用故障标志,表示其中一条输入通道处于故障状态。 特殊故障引脚(或SF引脚)可用于诊断哪一路特定输入处于 故障状态。

    4 X  d" r  ]& C" f! {  i$ T

    这些引脚对在系统中进行故障诊断非常有用。FF 引脚首先向 用户发出故障警告。随后,用户可轮询数字输入,然后SF 引脚将报出哪些特定开关或通道处于故障状态。


    0 H/ \# o0 W0 O- F2 Y, A系统优势
    . I" _- F7 b- e9 i, a. N) }* T
    ' S5 R: U# H" f+ l7 `( H6 w. @6 ~

    故障保护开关新型产品系列的系统优势如图9所示。无论是 在确保精密信号链的出色模拟性能方面,还是在系统鲁棒性 方面,该产品系列为系统设计人员带来的优势都非常巨大。


    3 [+ {5 @6 W/ e; @6 a- R% N+ I4 \5 V4 S* N; ~8 S( m
    , B* [; p0 m9 O

    ; [- C2 o7 u- c6 J' H0 h& }+ s% F3 D8 |
    图9.ADI 故障保护开关—特性和系统优势。
    0 P8 C+ V5 `& X0 p5 I
    8 G8 R3 U2 G6 d

    与分立保护器件相比,其优势非常明显,这些优势已在前文 详细说明。专有高电压工艺和新型开关架构还赋予了ADI故 障保护开关新产品系列多项优于同类解决方案的优势。

    ) V& u2 V, E; n
    • 业界领先的RON平坦度,非常适合精密测量
    • 业界领先的故障漏电流,能够在未受故障影响的其他通道 上继续工作(比同类解决方案性能好10倍)
    • 器件配备副故障电源,可实现精密故障阈值设定,同时还 能维持出色的模拟开关性能
    • 适合系统故障诊断的智能故障标志5 m5 \. a6 i8 @9 @3 C( L1 S
    应用范例
    ) H1 Q1 I- d0 [% ~: _& G3 }9 a/ k% b% ?! P' r& O

    图10所示的第一个应用范例是过程控制信号链,其中,微控制 器可监控多个传感器,例如RTD或热电偶温度传感器、压力传 感器和湿度传感器。在过程控制应用中,传感器可能连接在工 厂中一条非常长的电缆上,整条电缆都有可能出现故障。

    3 a- z% |  J8 f8 C6 b

    此范例采用的多路复用器是ADG5249F,该器件已针对低电 容和低漏电流进行优化。对于此类小型信号传感器测量应 用,低漏电流非常重要。

    0 Q- f( z9 @3 ~" `- _

    模拟开关采用±15 V电源,同时副故障电源设置为5 V和 GND,能够保护下游PGA和ADC。

    % _, H% Y- f: x; B- z

    主传感器信号通过多路复用器传至PGA和ADC,而故障诊断 信息则直接发送至微控制器,用于在发生故障时提供中断功 能。因此,用户可收到故障状况的警告,并确定哪些传感器 发生故障。然后便可派出技术人员对故障进行调试,必要时 可更换发生故障的传感器或电缆。

    5 G- m2 n8 }6 Q& [+ m! @

    得益于业界领先的低故障漏电流规格,当其中一个传感器故 障、正在等待更换时,其他传感器可以继续执行监控功能。 如果没有这种低故障漏电流,一条通道发生故障可能导致所 有其他通道无法使用,故障被修复后才可重新使用。

    3 `8 [* X2 [: g6 t3 g" g0 K
    # W/ Q9 ?8 D1 M' U' W. ?+ b

    ' ]8 q/ M- {% }) [. A! w2 Q5 r$ e* @

    $ Q' b: l0 [2 `6 A, v3 m6 L2 p
    图10.过程控制应用范例。

    4 s0 L- \2 {; D( [1 z* Z
    - ~: F" G- e% R- G

    图11中的第二个应用范例是数据采集信号链的一部分,其 中,ADG5462F通道保护器可增添额外的价值。在此范例中, PGA采用±15 V供电,而下游ADC则具有0 V至5 V的输入信 号范围。


    / O1 C# ^" l, d

    通道保护器位于PGA 和ADC 之间。采用±15 V 作为主电源, 以获得出色的导通电阻性能,而其副供电轨则采用0 V 和5 V 电压。正常工作时,ADG5462F 允许信号通过,但会将PGA 的所有过电压输出箝位至0 V 和5 V 之间,以保护ADC。因 此,与前面的应用范例一样,目标信号输入范围会在平坦的 RON 工作区域中。

    ) j- h9 D! Y) Q5 w2 P& m5 U

    5 @7 _9 B4 |; P; h$ F

    , h3 O4 _8 v. D) E; k' ~7 {, t: L, |% [" E& B
    # [7 J- ^3 P% _7 H8 u8 P
    图11.数据采集应用范例。总结

    & v( c* _& u( |5 m$ [7 }
    + T  w! ?" q6 Z* k& T3 _

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替传统 分立保护器件可在精密信号链中提供多项系统优势。除了节 省电路板空间外,代替分立器件的性能优势也非常明显。

    ADI公司提供多种具有过电压保护功能的模拟开关和多路复 用器。表1和表2列出了最新的故障保护器件产品系列。这些 产品系列采用专有的高电压和防闩锁工艺打造而成,能够为 精密信号链提供业界领先的性能和特性。


    5 }% `8 I* \! w6 R产品系列汇总
    8 S+ j" @; P& w% K2 @/ h1 A( ^
    3 n9 B- e8 U( r( I

    表1.低导通电阻型故障保护开关 产品 配置

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5412F. f# x3 F, r% C' |& p) ?
    ADG5413F
    四通道SPST
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5412BF
      i' l& D5 _: ~1 H/ ~/ TADG5413BF
    四通道SPST和双向OVP
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5462F
    四通道保护器
    副电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志
    ADG5404F
    4:1多路复用
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志
    ADG5436F
    双通道SPDT
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志

    表2.低电容/低电荷注入型故障保护开关

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5208F
    8:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5209F
    差分4:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5248F
    8:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5249F
    差分4:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5243F
    三通道SPDT
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志

    / D6 \" r6 b5 G7 _- v: l5 i& S; b5 t! `9 j' M
    3 Y( a! Y, Y0 l) B8 O: b1 d  k
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