请问什么是反谐振？

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请问什么是反谐振？
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由上图可知，C1的电感性区域，与C2的电容性区域，会有个交叉点的频率，
0 H% u% V  J7 y, t  v该交叉点正好会产生并联谐振，使阻抗升大，故该频率点称之为反谐振。
落地电容的阻抗越大，则流到GND的噪声就越少，
8 k9 X$ u3 @+ q: u4 B$ x. U% j这意味着反谐振频率点的抑制噪声能力，会大幅下降。
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, {2 A8 t; o/ K% w6 h0 m而由下图可知    当并联的电容值很接近时   反谐振点   有可能座落在噪声频率范围
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. P% M- p) S7 X然而最重要的，仍是电容的ESR，
由上图可知，虽然在1305MHz处，会有反谐振，
$ ^3 Z/ ?' M; y* g& f' j6 G但因为其33pF与30pF的ESR都够小，所以反谐振频率点的Insertion Loss，都还有37 dB。
而如下图，虽然两个同值33pF电容并联，没有反谐振问题，
, U  z7 _" _$ x$ }但因为其ESR不够大，以至于其SRF的Insertion Loss，也才28 dB，仍小于上图反谐振频率点的37 dB，
2 U0 H0 M9 `8 ^6 ]6 ]( U+ ?9 m; @因此虽然电容值的差异，会产生反谐振，但真正决定抑制噪声能力的，仍是电容本身的ESR。

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; Y! S1 i/ `0 H( {8 c& d) d( _简单讲  只要阻抗够低    就算反谐振点     一样有砍噪声的能力

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至于PA的VBAT上，都是UF,NF,PF几个电容
- f$ U/ |( C2 n3 S3 {5 |有没有反谐振?  有
阻抗会不会升很高?   会
8 D% k1 v" x1 a9 c8 `+ y但问题是    不同量级电容   所产生的反谐振点
" E4 p8 q5 V1 A, J0 e其频率范围   通常没啥噪声
! o, D* e! i2 ^0 q5 P& d' W既然这样   阻抗高    有差吗?
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6 ]7 g5 K5 P! Q3 ]# B关于反谐振    可参考这篇
9 o+ q& k4 L( |6 Thttps://www.eda365.com/thread-105471-1-1.html
: Y$ C$ T7 v: D/ P$ D
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fanichicl

在谐振器中，反谐振点其实就是并联谐振点。

Allevi

学习了，不过有个问题，一般来讲为了达到更宽频的滤波或者说去耦降噪==，我们并联的电容都是相差一个或者几个数量级的，比如在PA的VBAT上，都是UF,NF,PF几个电容。
其他需要并联几个电容的电路中，也很少会出现并联10P，15P这种，由此看来我们平时的电路设计中，是不是都已经忽略了反谐振点？ 毕竟有噪声又刚好落在这个点上的概率是非常低的。
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多言数穷

同值的电容并联情况时，因为每个电容的谐振频率不同，当工作频率处于最低谐振频率和最高谐振频率之间时，一些电容表现为容性，另外一些表现为感性，形成了一个LC并联谐振电路。当处于谐振状态时，电容和电感之间进行周期性的能量交换，以至流经信号层的电流非常小，信号层表现为高阻抗状态，这种现象就是反谐振