wcn312318697 发表于 2011-10-25 18:55 , _0 c' [! {- j+ q# Z
楼主,谢谢你的分享哈9 o; [% R/ s% E' r7 n# N" h
希望楼主能再多谈一些关于电容的布放原则及具体计算啊' J' {0 a/ ?" u
一般看到IC芯片 ...
6 w& n" g. U. G1 p, k3 w2 s4 |这样说吧。电容的模型比较简易的有两种:ESR+ESL+C,和两端的S parameter.前者可以很好作初级理论分析,后者import in tool后仿真结果比较准。电容理解为串联等效模型时,大电容,SFR比较低;小电容SFR比较高。没有电容的bare borad使用阻抗分析仪或VNA测量,会发现电源走线(From VRM to Load)的阻抗为频率的函数(因为板间电容和电感)。大,小电容其实就是将板级的阻抗(from about 1 Mhz to 50 Mhz)的阻抗降低。电容的数量,一般参考reference design即可,其实和了仿真tool,自己是可以修改的。(我也是刚接触PI,大家互相学习)