静电容量测定的注意事项
! U: G5 G1 |/ a! ~积层陶瓷电容器(以下、简称为MLCC)的静电容量在测定时、发生过如下问题吗?
来解决问题吧!!
※点击可移动至各个项目。
| 温度补偿型(低容量)MLCC在静电容量测定时、. L! P# D) h, c# J, q
测定值比公称值或大、或小。% s) Z: Q& i* y) G
| . B4 B `: T' g5 @, c
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- v% P: L. t7 q. C. g |
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| 高介电常数型(大容量)MLCC在の静电容量测定时、
7 f1 }, } Z$ y. u, c7 K测定值比公称值小。9 w- V: j+ r0 ^- [3 a/ c% u
| : h2 X' W/ j1 H9 W
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※关于静电容量的测定条件、请确认详细的规格表。% n* w) N- S( W3 S3 {0 O. o
※关于静电容量全般的测定、请参考资料『电容器的基础 【第7讲】 陶瓷电容器的静电容量测量法』
温度补偿型(低容量)测定的注意事项 | | |
温度补偿型(低容量)MLCC在静电容量测定时、( d( t) ~0 b* z1 L# g
测定值比公称值或大、或小。- \+ L- n$ w& e! a, c. Q# A8 q
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6 F. g: J- ?- y8 l% k; k5 j | 3 o# N0 {, E3 k5 n; b
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按以下顺序进行说明。
1)测定治具的“O”补正是?
2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值
3)静电容量测定值的变化理由
4)测定时的注意事项
9 |4 g! z; N6 G, l/ P) f* E5 w1)测定治具的“O”补正是?- V0 I1 X ?0 \$ R$ W7 |
①如下图MLCC在测定时、会发生
・测定线上串联电阻以及电感
( u# D8 L. @' Z4 e7 ^2 Q7 X・MLCC夹住时测定端子间的浮游容量
+ c$ ^% U" r9 S造成不能准确的测定MLCC的静电容量。1 S/ s/ d4 w4 G. E0 ^' g
所以、为了消除这些影响因素的行为就称为『测定治具的“O”补正』。测定前的OPEN补正、SHORT补正就属于此补正。( e c6 ~$ c8 ]6 h; `5 V, M
2 K. [( D- z& @: g1 Y) U5 d②OPEN补正是把MLCC夹住时测定端子间的浮游容量消除、SHORT补正是把测定线上串联电阻以及电感消除
8 L' t4 W; W2 l) j# H③在OPEN补正、SHORT补正后、MLCC测定精度可以得到确保。
1 r6 ^1 [3 A I' Y# F2 J9 c
; n& w5 V/ _+ e: G. q, O" a" E" H
/ W8 g$ I# X' a
2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值, X5 Y4 d: a; j( h9 j
以1pF的MLCC静电容量测定为例、改变OPEN补正时的测试治具端子间距离然后确认静电容量7 U% b# E2 z# _+ D
结果、OPEN补正时端子间距离比MLCC的L尺寸越大静电容量测定值也越大、比MLCC的 L尺寸小静电容量测定值也变小。
% \0 p. _* N1 [6 D■测定条件
' n5 @* }( V( c; r5 V& G4 N型号 :GRM0334C1H1R0B
! l/ e/ k8 ~% m( n6 q7 B測定器 :HP4278A
7 N) Q3 Q$ G( R* s/ a測定治具:HP TEST FIXTURE16034E(挟み込み型)
2 } E! e! H: P. S条件 :1±0.1MHz/1±0.2Vrms
. I$ Y8 y5 L- Q q3 }* O+ N& k; X5 [" v
4 I" f! E3 F) N! o! c. Z3)静电容量测定值的变化理由' R/ M$ ?* A3 d
■为何OPEN补正时端子间距离会使静电容量测试值产生变化呢?
| | 金属和金属间存在绝缘体的话就会产生静电容量。+ k; ]6 r/ S$ ?8 K4 q
因为空气也是绝缘体所以测定端子间会发生静电容量。2 L* `7 x. V8 C% }
" w9 r0 s' [3 v7 J8 I2 G9 W+ m金属和金属间的距离越短端子间静电容量越大 |
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& G" l& M0 [1 P) c+ I! h■OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果
& v6 t+ b" E0 W# M- x) g$ l7 ^" k, F0 U+ m$ Z6 m# b/ `3 T
+ r" }& q4 t0 A) }( N7 @6 {- ]. |: P, M
" R( T. X0 l' _
4)测定时的注意事项<OPEN补正时的重点>OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果
OPEN补正时的端子间距离、请和瓷片的L寸法一致。
& {/ u( u3 q% o5 W. x% ~- f2 [
8 a8 x% v: ]. ^* q; r6 p
测定治具端子间距离长的情况下进行OPEN补正、补正时的浮游容量比实际的测定时的静电容量小。 |
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C=ε・S/d ・・・・・ 式① d变大的原因
6 p; \3 k/ o$ s3 j) H3 F, i% S: L, {" N" g7 U1 M$ L1 x
C :浮游容量(静电容量)% O7 w/ R1 z/ V2 L2 y; Y
ε:诱电率
- U2 x' M6 g4 |5 U9 E( }+ LS :电极面积# \. T8 K: S `3 M5 [ E9 p
d :端子间距离(电极间距离) |
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1 @0 Y5 _/ [6 B, n$ ^
5 ~$ _# O7 V3 b" z& uOPEN补正端子间距离和MLCC L寸法不一样的状态下进行补正、治具自身的浮游容量就不能得到正确的0补正。
6 D( j% h" z: Y
7 O6 E u. Y" p! M2 BOPEN补正时端子间距离比MLCC L寸法小、导致治具间的浮游容量比实际大的情况下0补正、结果补正后的测定结果变小。
0 _! |6 @' s/ G- W M: v9 A6 c G: L" v$ [
相反,端子间距离比MLCC L寸法大时、补正后的测定结果变大。( b/ K7 j1 U% V) ~( X8 s, I. U
OPEN补正时端子间距离的偏差、比起使用夹具型的测定治具(例如Agilent16034)、镊子型的治具(例如Agilent16334)的偏差要大些。( ]8 X' P, i% p
; W9 J! g6 s. z5 G
镊子型的治具和夹具型的相比、测定端子先端的面积(式①的S)大、所以因端子间距离的差异而产生的静电容量测定值的变动也大。
& ~$ U7 G; a. l! n
) w( D$ B* g. g! e0 M: W# U
& }$ I, ~. E" }; H5 h( h5 t& D
$ O. r) L' Y h6 O* y( f6 q1 r
. ^9 k/ i$ V: e+ {% c; F* N
高介电常数型(大容量)测定的注意事项
9 l& y9 F; {- c* O7 t2 u高介电常数型(大容量)MLCC在の静电容量测定时、
1 R7 j) t% d% |9 U. {- u- G测定值比公称值小。 | 3 V' e5 }* Y0 K1 V9 o
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3 y9 t$ h9 f5 J |
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按以下顺序进行说明。
1)大容量MLCC的测定事例
2)静电容量测定值低下的理由
3)测定时的注意事项
" J4 t1 {. Z. `; u3 i
4 n& I. B; \. H* f4 Q2 G
1)大容量MLCC的测定事例
& W2 D1 M4 ]& c* @$ s: \大容量和非大容量MLCC在ALC (Automatic Level Control )ON/OFF的状态下测定静电容量。结果如下。
7 P. {8 P3 M$ r( f% G. y
■测定条件
型号:GRM188R60J106K/ GRM188B11H103K
& [" J# j* j$ A6 i6 H; _. w4 L, M测定器 :Agilent E4980A
) X; ]; g: ^" K1 W测定治具:Agilent TEST FIXTURE16334(镊子型)
- C& x! k) c- ^" k: f/ E0 V条件 : GRM188R60J106K;1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
0 u0 ~( X) J- R3 L/ J
GRM188B11H103K;1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
( C+ b7 C' y" V! f3 `1 W
⇒大容量的静电容量测定时、ALC 设定OFF与ALC设定ON的状态下相比,静电容量测定值要小
( w" j4 l: y6 t5 q a' |* m8 _* G3 W; {
( T4 i4 {. X* T! `9 V4 t( r
■静電容量測定結果/ h8 Q8 M* L, p- c$ L
7 C+ z7 }! P! W3 D
0 B# ^6 \$ O6 N. i- F
2 u+ ]( Y: c) k2)静电容量测定值低下的理由( `4 z) Z& b' L7 _
各种情况下用
万用表测试测定电压的结果如下。
6 j) W3 P- s7 S; {6 z0 b0 Y Q
对于大容量MLCC、ALC 设置OFF时测定电压值不满足测定条件
' C' m$ ^8 g3 _$ V6 v6 z■測定条件:1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
■測定条件:1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
F" v. Q0 C% K! r+ }' z2 i, V9 y4 x- S% t; G. O
+ k, N. T9 ^/ @5 |, l4 I" p) N7 l1 j: w& a. G$ r) g6 \
6 O G3 r6 L- r& L
3)测定时的注意事项
2 ?/ y6 J& {; z+ v$ ]! q■静电容量低时、准备好万用表对测定电压进行测量。
" A l8 `* o& S8 O& Q
如果、测定电压比规定的测定电压小的话、
4 v2 j8 p7 N2 \' M* h5 |; Z, `: S+ h. `5 y; r
①设定ALC ON
" s: c& ~8 x$ L②使用能发生规定电压的测定器
6 o8 r. e/ i8 A) K* ^& }0 t. Z5 j: N1 W; G
测定电压在测定时、如下照片把万用表搭在测定治具的两端。
U1 J$ T/ X; o- ?* N5 ` T& Y
- Z7 R2 B( r1 V0 h c
# t" n0 `2 f" o' r) S
关于高诱电系积层陶瓷电容的老化
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0 f8 |/ B! ~7 |% N6 _5 T" v/ M0 i/ U高诱电系陶瓷电容器,主要构成成分为钛酸钡(BaTiO3)。本系列电容器具有静电容量随着时间的推移而变小的现象。这个现象就叫作静电容量的老化特性。
BaTiO3系是下图1所示的钙钛框形结构,在居里点以上温度时,就是这样的立方形。
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图1:BaTiO3 系电容器的结晶构造
$ W7 ]" j# \' S. M | 图2:随温度结晶构造及介电率的变化(BaTiO3系) ' `3 Q! ^1 n c' N$ w/ G; p7 ]
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1 b* j" l4 s4 J/ ?' E7 BBaTiO3系陶瓷电容器加热到居里点以上时,结晶构造由正方晶系转变成立方晶系。
' g4 d0 N* k7 L; W8 K" c0 l冷却到居里点温度以下时,结晶构造由立方晶系转变成正方晶系。(图2)
总之,结晶对的微细构造加热到居里点以上温度时,就能恢复到最初状态,老化也就再次开始。1 ]: }( c$ u5 V: ~' @
; H/ N' v# R6 K& r& z
由于老化减少的静电容量,在贵公司安装工程的加热过程可以恢复。
" K+ X W) w* [- o% @
[补充资料]
高诱电系的积层陶瓷电容器的静电容量,以经过125℃以上的热处理24小时后的值作为基准,与时间成对数关系直线性下降。请参考如下本公司制品静电容量老化特性的代表例子。
9 ~2 A3 N( B5 ]/ @ u& q. }9 ?& F8 @8 O! V1 i; G6 T0 z
补充资料/ GRM188B11H103K测定比较
) U2 s' J7 j6 T- V/ q5 T$ g: r0 z! n0 |7 {$ X" y6 D/ K4 k4 e
: A/ ^$ S; O0 [! J; K