似乎没有人知道1T和2T DRAM Command Rate究竟是什么,2T性能会下降,但不知道它到底是什么。好吧,我发现一个网站在2001年写了一篇文章,它告诉我那是什么。大体上,Command Rate是指初始内存提取发生所需的时间。让我解释: 当MC(存储器控制器)首次尝试访问存储器时,它必须锁定存储器组,称为CS(片选)。然后继续查找列(CAS),行(RAS),然后将数据返回给CPU。现在,1T意味着需要1个时钟周期才能“找到”存储体,而2T需要2个时钟周期才能“找到”存储体。但是这里有一点比较奇怪,就是只会在第一次尝试从内存中提取数据时发生这个情况,而对该芯片的所有后续访问都是在没有延迟的情况下完成的,这使得在初始芯片提取后Command Rate为空。 片选是在单个时钟中执行还是需要两个时钟,取决于多种因素。其中最关键的因素似乎是系统内的BANK数量,必须从中选择正确的BANK。在单个BANK配置中,系统已经知道所有数据都必须在该BANK内。如果存储器有多个BANK,则需要另外做出决定。这意味着整个系统内存池中的芯片数量对于DRAM命令的执行速度起着重要作用。这非常简单,但要说明一点,这意味着只有8个芯片(单个存储体)的单个DIMM在整个可能的存储空间内比2个DIMM更容易和更快地解码,每个DIMM具有2个存储体。 其他因素涉及DIMM插槽与内存控制器的距离,最重要的是DIMM PCB的质量。如果使用具有相对较高噪声水平的4层PCB,则很有可能达到1t Command Rate。另一方面,6层PCB具有更好的信噪比,并且可以大大加快解码(在PCB的水平上)。因此,即使在不同的DIMM上使用相同的芯片,也不足为奇,PCB的差异将决定模块是否能够以1T或2T的命令速率执行 “
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