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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!
+ q1 P' y0 }  S8 c7 \9 R9 V之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?0 D+ J4 Z$ \% b7 J: O

9 z; G( E$ M$ v5 G& o7 z    
3 {& [; F$ H! B, x! p0 _- k0 p" h3 H; ^5 f  B5 K1 R3 c7 l
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
    3 n/ G2 m  b% I2 V2 a6 ?寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,
    % x/ M6 _5 n$ i0 P( R2 Q这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
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    开心
    2019-11-19 15:19
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 7 |8 F/ E* I1 Q# D( q" u" R

    5 s2 _! t% z) U9 D; `5 ~2 J0 Y- KRX线下方挖一层是为了降低寄生电容
    : Z9 u) p8 e4 s8 ^$ \
    =>  未必!!
    # H! o5 P* Z( Z& N  x: w4 ^& b8 T( K2 S( [% ]* C5 M

    " y2 u7 U' e( J8 h( t/ M. y+ X2 I0 }3 C& N; y7 m6 B

    0 u, k" ]( X) k# [4 N% k* K1 k1 s3 t! Q1 V7 a2 m6 V5 y. g
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大
    ( M6 `& l: |$ i1 Q$ \

    - u5 O, d8 d* n+ ]! @
    我们拿实际迭构来做计算
    7 ^' N3 C7 B/ s

    5 S. Y6 ~4 Y# `% w! W0 U- u

    8 E4 o$ u. Q- f
    ) E+ j) n1 i& j* Y- m& A' K! S; w
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字
    , O* X$ b8 ]' S$ K) i

    " q! Q+ A7 h$ K" M% {! g

    ' ?3 ^* F- e4 f: e  q

    + t' L6 T) k& t4 h0 z
    3 _6 v$ W! v" @9 w% P
    $ W* x# b; @& o. I$ O: |: t2 ^; T1 J; B) ~% ]4 I  G

    0 B( ^, k2 I# S" I. n
    + i/ D$ d, y6 \3 I) k" X& Y# G; @4 N# G% V% x  ^: }8 `$ A
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil
    " U3 T- j/ t' b" T
    - U3 V* K5 m) W" M) Y

    / Y, r8 E- b. n- Q7 ^& G) j0 r5 w
    1 p7 O+ e+ x% r1 D; m" r4 l9 e+ d/ m! o

    ; V8 M* T$ \) T5 g  K' k: h0 k3 V6 X: }3 J

    + y3 d" G; B8 H) Q# d, k# W6 q; t, ]/ H) G' h, {

    ' `# n, w. F: d! p( z) b( i2 z8 q7 p" d

    1 b2 ^8 x. q+ p6 m" R! T5 [6 [4 j+ P# @- x
    9 y& b/ D! g2 W7 E6 W8 F- P, I5 y

    - w- m) w6 u5 D& T# T
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil

    2 V0 |) j/ s- Y

    8 w) D/ P1 F5 H- {/ i0 @/ _6 u9 B

    0 B0 t  j! u7 g6 q0 ]$ N: n; y, [
    ( z+ ^; U' P/ I+ d3 S* |- z, E2 B9 m4 D8 z
    * {# R) U0 u7 d/ f
    9 L3 B% v+ W  h
    7 d# s7 l0 L! q2 \0 l

    . F: z. F+ V1 L' W& G) G3 g
    / w* M) d! }7 e
    根据电容公式:
    5 t/ v* `7 N& E* h2 u5 r" o5 t2 ]! [

    2 t5 C% A  C, g( L* R% S

    # X: c( i1 E" w* U8 h
    , n! ?; l5 Q% H8 [4 w, m

    . R8 Z/ Y+ o, \3 X, T" C/ Y; \" U
    # w) f' O( _, A+ P5 |
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?

    4 p/ x  _$ x, w: k( Y' z
    8 S) h4 q8 W( g6 e

    & f0 }( r+ z. _2 J0 Y

    8 ]& Y: k- q2 g& Q$ U

    % O* J& Q  x* e# l
    " v, ?# T( S8 K1 e
    3 y$ u) a8 r% l2 W$ l, X6 f
    / a7 _) l7 F1 s
    6 C/ }* R1 e  M3 K( y+ F4 p1 i4 D7 z3 L5 I7 _* N

    ' I$ ^7 c3 z4 M; N5 Q- x: L" Q
    + F3 A* }5 z% Q" J% `' J; D
    7 T" v# J" K& h" d1 q' d9 {) F* v2 \

    ( l4 d  j2 I2 ^* Q! z# F6 i+ }$ c
    / q! F- h( v$ E6 ~

    6 k) ?* w% @; Q  L# c8 G8 p% Z+ y
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?
    : f( U. x1 e3 ^" a

    8 D. O! d0 M: F8 [3 P
    # ?. s* ?5 U- W5 I
    9 j" L  m3 Z' t9 m
    1 f2 r( F, E) u* j/ d4 }; D
    0 B/ ~  w8 V  m( r4 G  i( i
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证
    9 ?- S! G3 R, v: y$ x
    9 h4 i3 m. U; Q6 x. d4 p

    $ d' `1 R9 C* _" N% N+ F/ v9 q
    ! e& J/ k8 Y$ ~1 p# v  {5 u# Z
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道
    1 |/ E3 `% t( ]( l. U7 R* g6 F
    * t& f% i' N2 z5 R
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