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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!5 f" w8 f' X! h' E# D/ x
之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?
, `# N' I( R# f6 _2 f  l1 N
. X3 @/ r1 {% s     , l& P6 {: S4 G& s& k6 m; G
/ m- e4 w9 F1 g  X
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
    ) \) E. E% h0 {6 k1 D% q, h2 i* e' f! \寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,* P) K( O- A, R, q
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 % r3 w$ ?( d6 n
    6 O) |" E. j9 o7 a0 z0 @
    RX线下方挖一层是为了降低寄生电容
    ! Y! u# x# }. g# W
    =>  未必!!
    $ f4 x3 g8 u4 k6 [9 H. C9 D$ [% v" d" }4 n5 ]
    & m4 t  v: U  \4 ~" R% N: _6 e

    6 B9 t3 T/ C8 B" R) ^& Z3 ?; j/ d  L

    $ @2 F$ B- D, u$ {  T2 O
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大

    % U5 g" F# R4 ~8 F% x+ O% F' e9 C8 d0 h7 Q9 S( ]- {! p! e! }
    我们拿实际迭构来做计算

    5 u. ^: q! H( l
    1 j4 j3 h  ]' I6 \: {3 ?' g* l

    ) Y( ]) m' d0 W
    8 E0 u1 j# M. P/ R
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字
    / P+ H1 j! h- ~* I+ g/ q5 n

    2 _1 X7 @, w6 j  s' D

    ( x3 B9 |2 I+ ~$ C
    3 e5 l: i/ f  z7 K' j' y
    # W0 z$ X% n2 J' @- t& x
    + t$ a1 j( D, o  j/ r  a! h& I
    9 m4 ?6 m8 S5 J1 [  h4 k$ c. d
    % a% U) O5 b4 Z& U. S& ]3 [& G+ E6 d

    9 g5 N5 E. E7 e- I/ M, X- K0 J( f' l7 E: j
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil

    & `9 r8 R( z! y' q/ j/ ~' q# {9 P) W5 a* W

    / Z& {2 {* @! c# @9 C  l

    " o5 e: z- k0 y6 y- Z1 n1 e* [+ V$ Q+ |( u& q

    7 Y- P4 ?3 w. \
    " a: v  j, v5 a* [; o+ J( }. G6 |" w
    3 z5 k- `' Y/ }8 X$ n

    4 R' l# d) T- @8 C; N' Q$ [1 V6 J7 ?" l7 ^- u1 l) f  \
    ! Z9 Z; o' v4 x5 C% \% n

    % e0 H9 x4 W- e2 q/ y, w
    " q# C, G& A/ _1 ^" |: c
    $ o( y5 M  f( P/ D2 D' Y4 x$ E9 Z9 b4 _
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    : n' [& {  Y8 f* o3 f4 T. b* [

      I* E4 A  T# i1 E
    4 v) O4 V- I" d8 k
    5 u' F% B( T8 e) S) Q$ G  N& H8 v

    - q+ s: |. w  R4 t/ W0 l9 n" S# T- x$ f* M: s  T

    ) B6 x* ^. X- j4 c% ?8 Y- N2 W( ^5 o- d9 I

    * q2 J# h# \6 D* b- V4 r- w/ s/ D& H- j/ h' }3 ]5 F( ~8 M
    根据电容公式:

    0 r* \; f2 q) X3 q

    , @# A1 A# P) w, o; U* _3 P1 g

    9 [! _! B! h4 n0 \; |. F  {6 N! I2 m- D7 {# Z7 Z

    ( ^) [; P. N1 O# E

    , v9 c- {& Y' x/ z- e
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?

    7 m$ I: c4 s9 p  ^7 m) T

    - p- @% l. S( n7 b1 C' F2 R

    ' `. a; C9 H& y9 ^& Q9 ]5 a
    ) J1 L& _' c8 H6 D
    8 f0 L! s) C7 V; |

    8 q/ m+ J  |; ~# t( Q4 ?5 r
    6 J$ C/ o0 k( r6 ^! R. {8 ^
    2 a, H# v" I$ @- b  f2 W- r* s0 Q$ Y

    3 J" M- }$ S4 n) Z! L2 _( W, p1 _# J7 `* u& A' ~3 Z* j  d7 Z

    # N/ N+ h# m! X' E- |% Q5 ^
    7 B! U' t' ~2 k4 A2 R/ t7 e, j
    * R8 O( H- F6 _% ? : t6 x3 M5 {4 r$ @: O0 ^: q* T

    2 u2 c% c$ R7 I

    ) B5 T  |1 @; l# ^& K
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?

    * Q/ L  n+ D# H6 d+ C- z3 G8 R2 I8 f4 n

    4 T0 M" t, K/ z/ d
    7 w! ~9 ~( i/ X4 I0 ~/ e( |0 k7 a/ W7 A. z5 s: b/ O1 w1 ]1 y

    8 n6 H8 a) i- C4 {- \% S: x% q
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证

    ) k5 T& {" t" Q+ ^' Y/ M! n9 b! b' w6 u
    - H1 H; J; \7 O0 S& [4 V& n
    : K" A; y& }) X3 I& ~6 N
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    % f' V( L2 M0 _# o* a) {' ~+ q: O4 K1 g* x6 P2 Z* O
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