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NAND01GW3B2CN6E小知识
" ]& W7 I: v( J2 i$ h. `
: n/ k" m; `2 O! h$ k) b5 a4 y特征
5 v( q. [) | d& C: a6 f. A1 Q■高密度NAND闪存" v/ D& V- }2 r$ f- g+ ^
- 用于2 Gbit内存阵列0 A3 F. Q, H7 v5 C" ~# e9 _
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案
; A6 R0 C; K' w7 ?8 q■DNAND接口5 f. i; T) [" w7 S
- x8或x16bus宽度. r1 s" z: o0 @9 @( w$ Y
- 多路复用的地址/数据
6 K8 l0 X! k$ k) d% m - 适用于所有密度的兼容性* T8 j" C5 U1 `3 K u' u% z9 @3 r) ?( |7 j
■供电电压：1.8V / 3.0V' G W* M) r% n7 V( @
■页面大小
0 M* H* _7 R9 K0 g-x8设备：（2048 + 64备用）字节& t1 P' \8 P- v! V% f
-x16设备：（1024 + 32备用）字" E2 U$ l* b V. t
■块大小
. m5 O7 U% j4 ]8 I1 o" _-x8设备：（128K + 4K备用）字节
/ |- c" O4 \5 _-x16设备：（64K + 2K备用）字3 t. c* T/ ]; ? N* N. N) E
■页面阅读/程序& ~, A- c# P$ W) J/ v9 {5 d3 L
- 随机访问：25us（最大）
1 |" Z: ]- n, Q% ~& v# F - 顺序访问：30ns（分钟）( R o0 [" q/ s) _! o; c
- 页面编程时间：200us（典型值）
- @: Y" ~8 B& ~. h■复制回程序模式/ T! f3 a5 {; u' @$ R( \
■缓存程序和缓存读取模式7 {0 ^# j; t7 O9 ^' w4 N
■快速块擦除：2ms（典型值）8 Z S+ }' ~* o
■状态寄存器
' h0 e- e. s" u) _■电子签名
D4 v* s* u, u6 Q# q1 i+ y■芯片启用'不关心', y; _, M" F) O% r% w
■序列号选项. y9 x+ o& U9 g( N6 k
■数据保护
& q/ o1 v" X2 k+ C2 o - 硬件锁定( M2 g3 X: a& B& a) t
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除
: R5 ]7 H$ N5 z5 p) d& h0 ~' D6 E■数据完整性, c, e3 N3 V# L; u9 h: L
-100,000个编程/擦除周期
' b p8 m% G7 Q* R; a - 10年数据保留( G$ k5 b& [2 c( T% {# L" b
■ECOPACK封装@; | N7 W* T. H% K7 b! v
■开发pment工具4 T# X- M4 S; C/ S5 e
- 错误修正代码模型
1 X1 b+ r4 R0 t0 g2 M' [ C% B( v-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms
+ H3 X' W4 c1 H! h0 }. v( v$ ] - 硬件仿真模型
- v1 B: ~' w5 r3 i* U5 U+ K, [: o5 B. c! ]
P" y. b$ N; ]; w0 J) o |
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发表于 2019-8-6 16:16
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