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NAND01GW3B2CN6E小知识% z1 {7 p& r# Z- [: Q
/ Z; W7 F, |# j. [* M- \7 v
特征
; r" u8 Z0 y7 X; d9 o! b■高密度NAND闪存+ r0 r5 V; _& T/ z* Q: L
- 用于2 Gbit内存阵列 ?, I+ s' Q$ ?' f7 m
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案4 L3 Y7 ?7 G2 {. m
■DNAND接口7 Q+ w6 ?) C6 k" ?8 ?5 g0 }
- x8或x16bus宽度 L6 o; Q/ a+ X
- 多路复用的地址/数据+ B$ }0 m# Q% [; R
- 适用于所有密度的兼容性
9 }$ |4 S2 E {■供电电压：1.8V / 3.0V/ H% [' v! A7 p4 Z1 s& ~
■页面大小
0 V9 R6 W" n: t5 d, f4 H-x8设备：（2048 + 64备用）字节
3 K% s6 k E H/ J$ U$ G* D-x16设备：（1024 + 32备用）字
2 z4 V5 G: o# V4 x0 ~& }■块大小
6 R6 o" `3 m8 G6 @- P-x8设备：（128K + 4K备用）字节) P1 F/ C) T* W. l, Y# g R b
-x16设备：（64K + 2K备用）字
% X7 U, O' \ C) M& C9 V■页面阅读/程序5 W& V y6 O* y$ y1 V
- 随机访问：25us（最大）
+ K* M I, ]- Y* d - 顺序访问：30ns（分钟）1 m E4 i) H# a b0 `
- 页面编程时间：200us（典型值）
& X/ x- j) B2 S1 w■复制回程序模式
$ |7 {5 t. b% Q' l- M8 z6 C7 O■缓存程序和缓存读取模式
; x ~4 j0 R1 \8 D! n■快速块擦除：2ms（典型值）; V6 [" S* y+ `& G5 k' E0 ?0 `
■状态寄存器8 i3 ]2 |( Q4 Q. r. N
■电子签名6 I7 m% }; N7 N) U+ D; ~( n9 G
■芯片启用'不关心'
; q& w- w0 l& P. n- r■序列号选项9 i5 d! }: |$ c6 }8 I7 ?% N
■数据保护6 a" A! r9 U4 y
- 硬件锁定
0 C5 }0 i5 J; d+ h- k! \3 c - 电源转换期间锁定硬件程序/擦除
0 w: G9 p, H z7 Q7 N: w■数据完整性- z' j8 J: z, |* m" M. }2 n7 g2 ~% [7 i; b
-100,000个编程/擦除周期
+ {9 k1 ?5 j3 ]2 Z* Q0 [9 s - 10年数据保留# v. \8 z( N4 O3 L. O
■ECOPACK封装@
0 G6 c( I6 b* r% j% E9 Z■开发pment工具 U; V& H+ p5 k
- 错误修正代码模型, v* k5 ?; a- p+ \
-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms2 [. }8 n2 B4 y8 _5 U' j {
- 硬件仿真模型
3 M q$ Z+ U' a# i" D/ J& N# O
- ^1 }$ }# R( Y7 ?+ v# l2 d8 `3 R0 k) |( c4 `2 m4 `( G( ~7 u
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发表于 2019-8-6 16:16
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