NAND01GW3B2CN6E小知识

Cinderella0922

NAND01GW3B2CN6E小知识

特征
■高密度NAND闪存
- 用于2 Gbit内存阵列
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案
■DNAND接口
- x8或x16bus宽度
/ A" ~/ S8 ~5 G; _) s2 o - 多路复用的地址/数据
- 适用于所有密度的兼容性
■供电电压：1.8V / 3.0V
■页面大小
-x8设备：（2048 + 64备用）字节
-x16设备：（1024 + 32备用）字
■块大小
$ t5 c9 O6 M' ^6 f/ N( P9 ?+ P-x8设备：（128K + 4K备用）字节
9 s6 ]2 d# \! T  T& H/ s' L: j-x16设备：（64K + 2K备用）字
■页面阅读/程序
: U$ W1 C; k' C5 E/ q. A" j - 随机访问：25us（最大）
3 _0 q% z, y$ Y0 Z# D$ X0 u" v - 顺序访问：30ns（分钟）
3 J; W; X3 y  q! z1 N6 H  ? - 页面编程时间：200us（典型值）
. P, H( _+ p7 n; K0 P' O■复制回程序模式
  r: W. s7 }, ?3 q2 j7 z% q/ g■缓存程序和缓存读取模式
" K- h& i2 ^* I/ u; [■快速块擦除：2ms（典型值）
■状态寄存器
& Q( @/ t/ o1 @1 `5 O' g■电子签名
% T( c( n! P9 m- Y6 h& k■芯片启用'不关心'
! D" z/ [% C/ p7 F( \) u■序列号选项
. m0 X" f/ n4 K7 N. b$ L■数据保护
& J: v! f$ h. F. i- W - 硬件锁定
+ Y4 ]0 I4 {, T# ? - 电源转换期间锁定硬件程序/擦除
■数据完整性
-100,000个编程/擦除周期
-  10年数据保留
■ECOPACK封装@
■开发pment工具
$ U) M6 V& o" Q3 a" V$ J$ k - 错误修正代码模型
-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms
0 V+ M  `; D: k - 硬件仿真模型
- \) c- E0 R$ a
) w, P: y( F* E6 q
5 v8 G$ S4 `0 T, L, c9 a" o" p, G& i  y8 }