|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
NAND01GW3B2CN6E小知识9 d* o& S+ ?. b0 v( _
" U4 f) p4 Z g, O* R9 A! c
特征! T S1 ~, h) B6 ?) r& v
■高密度NAND闪存# |" v/ F. B9 h8 ^/ R
- 用于2 Gbit内存阵列
7 ^$ F( Y" m1 A2 ?. y" d - 为大容量存储应用提供有效的解决方案
" {3 R7 B2 O* T■DNAND接口0 n9 I- L8 \2 k @+ |" f6 r& G; A
- x8或x16bus宽度
$ E( f t" ~8 j5 Y - 多路复用的地址/数据6 ], C }( O+ S' d9 N8 E
- 适用于所有密度的兼容性4 R7 s" s: x& c) O; c# q6 [& G7 m
■供电电压：1.8V / 3.0V
' w5 W* s$ v5 L5 X5 t■页面大小% Q$ _4 v6 h5 S; L
-x8设备：（2048 + 64备用）字节
( }- u. j) s; T/ v! S+ L. |$ }. F0 F! f-x16设备：（1024 + 32备用）字
9 }$ S, V& V- {7 a7 L8 k8 }■块大小: ]; V! c/ G. B, s8 q
-x8设备：（128K + 4K备用）字节
9 l: G9 a1 ~6 n-x16设备：（64K + 2K备用）字
+ {0 h: b* Y* V/ p5 N2 S■页面阅读/程序* r" ^/ i9 A: ]2 t, Q
- 随机访问：25us（最大）: @4 a; Y+ \0 Y% G
- 顺序访问：30ns（分钟）; `, h$ o8 `8 B9 g
- 页面编程时间：200us（典型值）% c' J6 w, v& O+ m6 M& }
■复制回程序模式
8 Z8 P6 X" J; {9 g■缓存程序和缓存读取模式
6 {/ ]1 p: |0 @5 x* \' w# ^5 Q; ^■快速块擦除：2ms（典型值）3 _( g7 ]6 o7 u; N ]) ~
■状态寄存器3 K8 X5 Y0 T! X& I) i6 L0 z
■电子签名
6 k4 C T7 w% }3 m■芯片启用'不关心'
" Q) O+ x! ~7 Y' R+ D) E■序列号选项
8 V2 P" ~0 y7 } l■数据保护
: f9 F: R$ j/ p$ B - 硬件锁定. \9 \; z1 g M
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除% S6 t7 y' A: D3 r8 e5 N! p
■数据完整性
: Z& G& Q1 b9 R' i0 ]-100,000个编程/擦除周期
* H4 K" x# q \3 ^$ \ - 10年数据保留
5 z, n* m7 n& O# {3 S- j■ECOPACK封装@
- | X# L, N% q, D j% y0 |% I: s3 O■开发pment工具" l8 u% R1 l/ e$ N
- 错误修正代码模型
$ ^. U2 g+ m' ~) y: _- H( F3 G6 G-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms
4 x; p, [4 K3 @& B8 L5 X - 硬件仿真模型
( \3 p7 }, r- q
+ ^0 S: s6 C/ r f1 M* Q) J
2 c5 }) Q/ Z3 r* j e# k' j |
|
/1 
发表于 2019-8-6 16:16
收藏
淘帖
支持！
反对！