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基于CMOS工艺的10位SAR ADC的研究与设计
( I/ X3 l# o$ P! x: L; w0 c& r5 K t3 ^: U3 U
目 录" ]' w& R" e( [8 K' p
4 x3 X# E( u. A! Z7 t
文摘) F0 s& F3 q) N R/ @" I/ T* T
英文文摘* x% O$ h9 c |4 b. S
论文说明：插图、表格清单
7 I8 z" ]5 j9 a- I独创性声明及学位论文版权使用授权书9 ], [. a4 G; A0 M W9 l$ [
致谢
* S' `) B/ r* p: X9 P: y6 \$ S第一章导论0 R+ p9 t2 V7 P: j4 ~
3 _# ?5 _$ n- y/ c# U, \$ `
1.1概述
1 K+ x* T/ M# b' u9 z6 ~# W* `3 e. l9 b% u$ z
1.1.1本论文研究的背景、目的$ e2 `5 K, {: x6 W
1.1.2国内外研究状况分析
6 t7 n( u3 W' K1 [0 ]
: L$ m4 H: ~/ m$ g$ ^. d1.2本论文的研究内容、拟解决的关键问题及创新之处
& C! V: p7 Y9 |6 Z) T0 |
; `$ C8 u& ^0 w( O1.2.1研究内容
U! x$ t) a( E" L1.2.2本论文拟解决的关键问题
: K2 U: M \8 V1 t4 P, v7 R9 M1.2.3本论文的创新之处
. r @8 T8 W$ D5 [& m
* ~" v7 G( m! _第二章数据转换的基本原理- L9 X! n6 s. a* h
8 _" W/ L' S8 T5 n5 J7 N
2.1模数转换器# i2 T4 o9 U9 F3 Q E9 d( v
2.2 ADC的性能参数
; T) z! _. [/ Y0 i
1 S7 g5 V/ _% j6 n4 A2.2.1分辨率(Resolution)0 A# i& G/ q4 Y. \: c' ?' L
2.2.2失调误差(Offset)和增益误差(Gain Error)+ n+ |( f4 B3 U: {5 z) R# D
2.2.3非线性误差(Non-linearity)
. s _! ]9 H5 B9 q2.2.4信噪比6 E) f4 _) E, Q: ]& k5 j% N, F. N1 k1 W
2.2.5动态范围
4 ]0 X( i2 N5 e4 Q2.2.6采样速率、转换时间和转换速度
$ e# p/ v# Q3 Z9 K; o" @! }' g7 c4 M& V! y' ^/ V% N: }& K0 a
2.3模数转换器(ADC)的结构对比% Z6 l; ^ y( B9 R: k9 _
4 t3 e7 g7 Y; W2.3.1并行结构ADC$ I& O6 c# o* E6 ]! N) t' E7 f+ `
2.3.2二步式A/D转换器& |( y4 P7 A6 w" [: q, p$ ]3 |
2.3.3流水线ADC" T' X7 K8 I5 _$ d) z
2.3.4逐次逼近结构ADC$ e4 k* d# r/ N& l
2.3.5 ∑-△ADC1 F4 u {/ ?* h/ Y( ~6 h( l
7 E; L8 \: K( O$ ]0 E第三章A/D转换器单元电路模块分析
7 [( T% R4 y+ {% U# ~ ^$ L
8 Z+ l7 L; q" X d3 [0 f2 @3.1采样保持电路
4 N, Z9 v# }$ ?
O4 W9 Q7 F( K+ I! i& e* l3.1.1 S/H电路的主要参数
$ v8 R$ u6 @- T2 J9 v) }3 F3.1.2采样保持电路结构+ ~, _, b! t- J t. I% e Y8 {8 F( l
3.1.3 MOS管采样开关/ e* d1 m$ C7 e: V- o5 m
# n5 V8 T+ i. K* j6 q8 o! U& z3.2数模转换器
( a! D @1 \/ H& i. W5 U4 j2 { E
" `# l/ m: | E# f) T! v3.2.1性能指标
0 K9 x ]) Y! z# V6 m" m3.2.2 DAC的结构- N! H0 @* d; G
3.2.3高分辨率结构2 S6 ]% H, X; p. p- r* t# k% X
4 n0 U. j; z) r6 N3.3比较器
: n z5 l% T3 F; z5 b; p N
, N5 h' w4 _+ E# a+ M8 ?3 G- f* N3.1.1性能参数2 M5 a# Y: |4 K$ A+ N' j
3.3.2电压比较器的结构# e# @1 J; }( z+ y# H: ]
3.3.3比较器失调电压取消
) B. L9 W+ p3 f0 u( X
4 c; H. o: v- o! a2 ]# J! Z7 B4 y2 L第四章具体电路设计及仿真结果
. f4 q; s. q5 O2 q! j+ K, E7 f2 U5 E
4.1采样保持电路
1 d: ^, b# S& @! t7 d/ x) l4 c- N! @# R: w; P1 Y
4.2.1电容器阵列
- z2 E7 x! q# Z: }5 U4.2.2开关
5 s# a6 \2 @! b0 y- }4.2.3转换时间# T, ? ^& u% m- S
1 v- B0 {: {4 d! M+ x u0 H4.3电压比较器
% f+ Y) d% U, D; |2 ^- P6 V3 {: T+ n0 o/ [! d4 c! d- q; B
4.3.1所采用的电路结构* U: O6 F: ^: b9 C8 \. Q' E6 [
4.3.2前置放大器和锁存比较器电路的设计
/ G' E' v8 T' t7 J8 w' K. L4.3.3输入电容; C# |+ e9 F* [+ Y
4.3.4比较器的仿真结果
0 k3 s* \2 ^' j1 u( H* b# Z+ m0 p$ f0 n/ ^* D; j
4.4运算放大器的设计
7 j# a V* ]+ c; b- {* I
3 I! r X2 N6 G( I# y4.4.1 CMOS运算放大器的主要特性
/ q4 E7 J, [0 o w0 O+ b( W4.4.2运算放大器的设计
# \/ O' Y( b; h) A/ p# w# ^ [
. C5 l: x9 X4 l$ o! d8 @0 I4.5逐次逼近寄存器的设计(SAR)
8 ]+ Y$ w" S% y; O7 b, e1 O# c' p1 o6 @/ U
第五章模数转换器的仿真结果
! ~/ i- h) z" T+ S0 l( l$ Y" u" U$ C4 ~$ E4 f6 @* x
5.1电路仿真的基本思想
7 h a' K9 P" F( w" V5.2采样保持电路的仿真+ C% o8 V# F( m! ^
5.3系统级仿真/ E* R# e- C2 y; D; {# W5 j
5.3.1静态参数仿真& a; z5 u7 ^' B& F% x) w* d
5.3.2动态参数仿真# K0 c. s7 l/ ^5 Y
1 @# l1 N! t: D x
第六章结论与展望
, p- c0 {: [# T1 m& X7 [ h/ ?9 T: G Z3 j
6.1工作总结4 X) l8 \" r$ K" {9 ~+ v
6.2工作展望
3 @( n# m5 K( J6 d. n- H- s' y* ?* f2 x0 h: M: g
% H( D$ n5 C8 [; x8 z) }! I1 ]5 i/ h
0 e! j" M/ t1 ]3 N+ B3 i6 a4 {2 R
. }: R5 L1 ^& N [4 u | 
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发表于 2019-8-2 09:29
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