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W971GG6SB-25小秘密3 _& | I1 A$ M# e/ R) [. M' R
& q2 }2 S7 l$ X8 O1.一般说明- g' `$ h& w+ t: D! U# y3 u
W971GG6SB-25是1G位DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字x 8个存储区x16位。该器件可实现高达1066Mb / sec / pin(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种应用。7 p; R5 |" V$ _; D8 V( R% X4 w+ ?
W971GG6SB-25分为以下等级部分:-18,-25,25L,251,25A,25K和-3。 -18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。 -25 / 25L / 251 / 25A / 25K等级部件符合DDR2-800(5-5-5)规范(25L级部件保证在商业温度下支持IDD2P = 7 mA和lDD6 = 4 mA, 25l工业级部件保证支持-40℃≤TCASE≤95C)。 -3级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。汽车级零件温度(如果提供)有两个同时要求:器件周围的环境温度(TA)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K),以及温度(TCASE)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K)。当TCASE超过+ 85°C时,JEDEC规范要求刷新率加倍;这也需要使用高温自刷新选项。此外,当TCASE <0C或> + 85℃时,必须降低ODT电阻和输入/输出阻抗。" G% M" Q, z3 F! g1 M$ ^2 Z
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有/ Os以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DaS对同步。
5 n0 e2 A5 v. Z" L
6 ?+ M3 J# S3 [( n9 A* @6 s·电源:VDD,VDDQ = 1.8V±0.1V6 ]6 e7 B; C2 j9 \- y
·双倍数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输" k2 F; ~. N' Y' i9 w7 O" O Z" V- e
·CAS延迟:3,4,5,6和7& m; r$ R9 D n3 g- a% }2 b) J
·突发长度:4和8
- j7 O4 u1 A# Q3 A·数据传输/接收双向差分数据选通(DQS和DQS)
/ [; f" @* I% @2 o9 w·与读取数据边缘对齐,与写入数据居中对齐9 S+ K9 y5 v+ G' _' Z: L
·DLL使用时钟对齐DQ和DQS转换+ U; J* Z/ V9 l S
·差分时钟输入(CLK和CLK)
Y+ ]9 l4 f* e( e! Q% `·用于写入数据的数据掩码(DM)) P1 ^! F6 i" d2 Z
·在每个正CLK边沿输入的命令,数据和数据掩码都参考DQS的两个边沿8 v4 s. K4 N5 \$ ^7 Y
·支持CAS可编程附加延迟,以提高命令和数据总线的效率
+ Q1 y `7 Z3 t1 Y. u·读取延迟=附加延迟加CAS延迟(RL = AL + CL)
' n2 c8 C& Q8 _! l7 |9 W4 a2 _5 ~·片外驱动器阻抗调节(OCD)和片上终端(ODT),以获得更好的信号质量! n1 A3 C& f$ @6 O9 Z* W( c
·读写突发的自动预充电操作9 m# |- B3 D$ D; C, R, v
·自动刷新和自刷新模式/ H5 H3 I* k8 n* Q, g
·预充电断电和有源断电0 Q: W+ d' u1 X1 V0 {8 X
·写数据掩码( C* O. o$ X' G% K1 G3 Z2 A
·写延迟=读延迟-1(WL = RL-1)1 y0 X& V% X4 b% r* k! j& q
·接口:SSTL_18' Z4 G2 m( ~( q' w1 x: P2 K
·采用WBGA 84球(8X12.5 mm2)封装,采用符合RoHS标准的无铅材料
, y) H: D! }' }1 c3 }$ L" r' K0 |9 L0 W9 j3 r( i6 H" I! Z
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