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W971GG6SB-25小秘密; E' Y) P! V( T. C. O% { O
W# q' d+ n3 I( V* c" X2 ^3 M
1.一般说明0 h) v% V7 y: m7 J7 I1 ?
W971GG6SB-25是1G位DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字x 8个存储区x16位。该器件可实现高达1066Mb / sec / pin(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种应用。2 ]- f/ W8 C7 s& U' \# X
W971GG6SB-25分为以下等级部分:-18,-25,25L,251,25A,25K和-3。 -18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。 -25 / 25L / 251 / 25A / 25K等级部件符合DDR2-800(5-5-5)规范(25L级部件保证在商业温度下支持IDD2P = 7 mA和lDD6 = 4 mA, 25l工业级部件保证支持-40℃≤TCASE≤95C)。 -3级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。汽车级零件温度(如果提供)有两个同时要求:器件周围的环境温度(TA)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K),以及温度(TCASE)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K)。当TCASE超过+ 85°C时,JEDEC规范要求刷新率加倍;这也需要使用高温自刷新选项。此外,当TCASE <0C或> + 85℃时,必须降低ODT电阻和输入/输出阻抗。; f- f4 `6 ~( J7 I! U2 R0 k
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有/ Os以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DaS对同步。
) A' z# o, ] x( {: `
+ ~7 ^% d/ p5 `8 S5 N, o+ S·电源:VDD,VDDQ = 1.8V±0.1V8 X, e) N" ^! J2 o
·双倍数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输
! L" G" o: d. L5 e% A- k& \' J8 _! }·CAS延迟:3,4,5,6和7
( [) u# @6 A9 x& W·突发长度:4和84 o* O- M7 l9 [ B
·数据传输/接收双向差分数据选通(DQS和DQS)$ b- o. q/ ~% c. k! F2 A, b
·与读取数据边缘对齐,与写入数据居中对齐# ?) V0 I" p' x5 B
·DLL使用时钟对齐DQ和DQS转换; C. L" V% [1 \, \
·差分时钟输入(CLK和CLK)
! @: v8 A- | X( n, T8 ]·用于写入数据的数据掩码(DM)
& o9 @3 `% ^& G6 h* ]$ u·在每个正CLK边沿输入的命令,数据和数据掩码都参考DQS的两个边沿
: f" }( Q4 r$ G! r·支持CAS可编程附加延迟,以提高命令和数据总线的效率
* K( l2 L0 y2 l7 m·读取延迟=附加延迟加CAS延迟(RL = AL + CL)
7 j( q& B i6 d& F5 v·片外驱动器阻抗调节(OCD)和片上终端(ODT),以获得更好的信号质量 ]) V& r! g' S& ~, M! b3 E
·读写突发的自动预充电操作3 T; t$ ] j& z0 M2 F% O% ?1 P
·自动刷新和自刷新模式
. `; i# {. D' q6 B·预充电断电和有源断电$ E2 {( h+ |5 s
·写数据掩码5 `7 V) _$ U) @( {( f1 T$ W% o
·写延迟=读延迟-1(WL = RL-1)
( k! g( P7 q2 j1 e. Z; L·接口:SSTL_187 w/ P" I3 N4 G& l2 I
·采用WBGA 84球(8X12.5 mm2)封装,采用符合RoHS标准的无铅材料
5 V3 h. j4 x) c; b' ~3 k9 n2 J! I4 _1 t
# C8 J4 ]/ F8 Q0 _; X$ ?" X |
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