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单端口RAM的设计(异步读、异步写)之FPDA

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发表于 2019-7-11 11:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 ulppknot 于 2019-7-11 16:29 编辑
, Y6 @) Q) [0 J0 m8 b$ p7 P$ t! B  q0 F! T# ]7 c
这篇讲异步读写:
  W3 `, [* f: E6 H8 ?
( T4 O1 f( F& h8 g

6 x/ i" l2 a* a% n% c在单端口RAM的设计(异步读、同步写)中已经对异步读与同步读进行了比较,这篇要对同步写和异步写做一个比较:
; B; K7 Z  a  A  f6 r1 W$ W) A) [0 x6 D- I

" a. t0 [# j: v2 @' d6 f首先是代码上的区别:易知,所谓异步写,也就是不依赖于时钟的写,只要给一个地址,且写使能有效(当然片选也得有效)就可以写一个数据:
3 [6 B* M, }5 |4 [/ L- m" J4 n# x. P# p3 U& [2 J
( |  s; M& {" Z$ L1 x3 H+ J
  • // Memory Write Block
  • // Write Operation : When we = 1, cs = 1
  • always @ (address or data or cs or we)
  • begin : MEM_WRITE
  •    if ( cs && we ) begin
  •        mem[address] = data;
  •    end
  • end7 ~6 @* Z% E! L2 t1 M

% `. h  t$ a+ }" |2 }
2 G4 Q/ @# Z; C8 M& n2 ~
  @/ e, B& O' D) ]0 a& Y) q/ Q4 b
异步读自然也是如此:
0 ]0 z0 G% `7 d! w* A; ?
8 n. }+ D* M7 P% B
! a+ U4 g# X. T' G# o
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
7 o: ~9 s9 Q" D* B  e* `
4 l% ^/ P5 l* H" m7 N

. L. e/ R, J# a8 I" j
  Z4 x: l* g1 `: [! T- o0 F
' B( ?1 X7 b, N+ ~9 [
3 q$ J. X( H0 L5 I  P% z( y
2 p5 Q2 z- \" M' I, I) Z
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