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为何外部PA 可增加线性度

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1#
发表于 2019-7-8 14:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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假设目标功率皆为15 dBm, 请问上图哪一种方案, 会有较佳的发射性能?

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为何外部PA 可增加线性度.pdf (729.11 KB, 下载次数: 42) 7 H, w. o" d/ E( L% ~* t8 T

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发表于 2019-8-17 22:32 | 只看该作者
DUP1988 发表于 2019-7-10 09:30: w; r8 k  h! r$ K) `% i
只能说,外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱,CMOS目前还是干不过砷化镓的,仅此 ...
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赞!!!!
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推荐
发表于 2019-7-10 09:30 | 只看该作者
只能说,外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱,CMOS目前还是干不过砷化镓的,仅此而已

点评

赞!!!!  详情 回复 发表于 2019-8-17 22:32

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3#
发表于 2019-7-8 15:38 | 只看该作者
什么是威望啊  我这些资料都下载不来1 Y2 d% C5 V$ o9 z# A

点评

就是一种需要刷的东西、、、  详情 回复 发表于 2019-7-8 20:14

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6#
发表于 2019-7-8 20:14 | 只看该作者
wj123 发表于 2019-7-8 15:38
+ w! u9 n  }; P* V1 u3 Y0 h什么是威望啊  我这些资料都下载不来

3 f5 v7 t8 F* [  R4 `就是一种需要刷的东西、、、* ~2 t+ C! X# }- m

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9#
发表于 2019-7-9 09:06 | 只看该作者
这个分享只是对现有器件和现有器件工艺的 评价。

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10#
发表于 2019-7-9 09:07 | 只看该作者
从未来趋势看,PA 集成到收发芯片中更有优势。
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