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楼主: ijiqux838
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特性阻抗终情于50与100的原因

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16#
发表于 2008-3-31 20:07 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表 6 t7 T1 C4 W6 A( q" T0 n) X4 g
我翻译了一下上面的那个文章
1 w$ L" ~3 N+ ^2 C1 F发现好像主要讲同轴电缆的9 U0 }1 E/ P5 l8 O# k7 _4 N
不知翻译的对否
2 A4 j' a' O. e- \1 q" u, z( V往指正

$ |9 I1 O6 |% \) s8 ]5 d( I谢谢!8 T# f4 v+ K' [! t6 y+ @
看一下
( q* E* Q6 b$ O: v再讨论

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17#
发表于 2008-3-31 22:11 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表
: F: A) n0 |, m; l; d# Q7 w我翻译了一下上面的那个文章& w  b: m: b5 K- H4 ]1 \0 X
发现好像主要讲同轴电缆的
; Q  C9 _$ w$ z" d不知翻译的对否
$ O* X4 [) a6 U$ _" P往指正

# ~6 V3 [4 f1 y! y, ^; H0 e, ]
% W. e6 y( W1 u/ `% w翻译得很认真
+ E4 w# D/ W8 Y/ ^: q& U4 Y" n( z前面是PCB,后面是同轴电缆
( \& `5 t8 y# ~; C* t结论是两者都取50ohm并没什么关系

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18#
发表于 2008-4-1 12:08 | 只看该作者
受教了!

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19#
发表于 2008-5-1 15:20 | 只看该作者
之所以一般同轴选择50欧姆,是因为从机械加工和成本控制方面考虑的,75欧姆一般用的相对少些,电视的射频接口就用的75欧姆
- `& }# y& Q- q0 }. z3 \- Z差分阻抗不完全是单端阻抗的叠加,是因为线对之间耦合后改变了电容和电感

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
Allen + 10 谢谢参与讨论!

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20#
发表于 2008-5-11 17:54 | 只看该作者
牛人门啊

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21#
发表于 2008-5-24 17:17 | 只看该作者
其实有很多原因,主要好象是:单板设计实现性来讲的,想想要是阻抗太小,线就很粗,这样做起板来就很难实现,50也是人们总结出来的,是个比的结果,不知道对不对。

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22#
发表于 2008-5-29 14:47 | 只看该作者
原帖由 vvyyxx 于 2008-5-12 08:45 发表
% {$ ?* R+ f1 \  S特征阻抗的绝对值 在一般情况下并不是很重要,主要是走线阻抗稳定均匀!!

4 k+ e# u. L+ W3 H0 l& S2 ?; _- i2 I7 D) V
走线阻抗稳定均匀,一般是要怎么达到呢,我总觉得布线的时候不是很注意这个, 也与我少做这个有关系吧,,,,

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23#
发表于 2008-5-29 23:53 | 只看该作者
好,学习了,谢谢

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24#
发表于 2008-6-3 13:34 | 只看该作者
學習.謝謝分享

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25#
发表于 2008-6-10 11:26 | 只看该作者
学习中...

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26#
发表于 2008-9-24 11:49 | 只看该作者
此问题前面已经讲的很清楚了 有一点需记住 差分USB 90   DDR DDR2  差分100  单端一定是大于45  和50  的

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Allen + 10 谢谢回帖

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27#
发表于 2008-9-25 16:04 | 只看该作者
这个帖子不错 要顶起来

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28#
发表于 2008-10-10 16:38 | 只看该作者

回复 12# 的帖子

我觉得这个说法是比较好!双端线,可以方便的结成单端线。

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29#
发表于 2008-10-11 16:21 | 只看该作者
感谢 ,收藏。

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30#
发表于 2008-12-30 16:45 | 只看该作者
已经收藏,谢谢
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