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楼主: ijiqux838
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特性阻抗终情于50与100的原因

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16#
发表于 2008-3-31 20:07 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表
. p5 X* P$ X  w* A! `' E9 i4 `我翻译了一下上面的那个文章
5 w- H* {. ?0 P" t发现好像主要讲同轴电缆的
2 Y9 F- u: x9 e8 }4 F不知翻译的对否
& u7 v, U; a2 `& n0 K3 A8 q往指正
3 C' n6 {8 V) f( `/ s' u6 v0 L
谢谢!( _$ z; [4 E, d- x! X( e7 V! m
看一下% }9 _; H6 i( C: N9 n
再讨论

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17#
发表于 2008-3-31 22:11 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表 9 J" |2 T3 b* J8 r
我翻译了一下上面的那个文章3 E* n6 O2 ], g0 s2 e/ `/ R
发现好像主要讲同轴电缆的
4 O& f8 E6 U( l不知翻译的对否3 I- L( m) N/ U* ?# d
往指正

' J5 [3 p0 @4 s+ h% `6 ?/ R3 O% a- y9 b2 x! P# R
翻译得很认真2 d) M0 T% O- ^& H- z
前面是PCB,后面是同轴电缆
' @8 {& B% n! E' ?$ @& {* P结论是两者都取50ohm并没什么关系

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18#
发表于 2008-4-1 12:08 | 只看该作者
受教了!

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19#
发表于 2008-5-1 15:20 | 只看该作者
之所以一般同轴选择50欧姆,是因为从机械加工和成本控制方面考虑的,75欧姆一般用的相对少些,电视的射频接口就用的75欧姆0 |9 w+ r( b  h( \, v# d
差分阻抗不完全是单端阻抗的叠加,是因为线对之间耦合后改变了电容和电感

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
Allen + 10 谢谢参与讨论!

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20#
发表于 2008-5-11 17:54 | 只看该作者
牛人门啊

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21#
发表于 2008-5-24 17:17 | 只看该作者
其实有很多原因,主要好象是:单板设计实现性来讲的,想想要是阻抗太小,线就很粗,这样做起板来就很难实现,50也是人们总结出来的,是个比的结果,不知道对不对。

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22#
发表于 2008-5-29 14:47 | 只看该作者
原帖由 vvyyxx 于 2008-5-12 08:45 发表
& ~# x) T1 x7 N3 I* o: P特征阻抗的绝对值 在一般情况下并不是很重要,主要是走线阻抗稳定均匀!!

8 y) K& G) X/ ]# k
: c, U4 u# C5 \1 u& R. G走线阻抗稳定均匀,一般是要怎么达到呢,我总觉得布线的时候不是很注意这个, 也与我少做这个有关系吧,,,,

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23#
发表于 2008-5-29 23:53 | 只看该作者
好,学习了,谢谢

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24#
发表于 2008-6-3 13:34 | 只看该作者
學習.謝謝分享

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25#
发表于 2008-6-10 11:26 | 只看该作者
学习中...

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26#
发表于 2008-9-24 11:49 | 只看该作者
此问题前面已经讲的很清楚了 有一点需记住 差分USB 90   DDR DDR2  差分100  单端一定是大于45  和50  的

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Allen + 10 谢谢回帖

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27#
发表于 2008-9-25 16:04 | 只看该作者
这个帖子不错 要顶起来

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28#
发表于 2008-10-10 16:38 | 只看该作者

回复 12# 的帖子

我觉得这个说法是比较好!双端线,可以方便的结成单端线。

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29#
发表于 2008-10-11 16:21 | 只看该作者
感谢 ,收藏。

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30#
发表于 2008-12-30 16:45 | 只看该作者
已经收藏,谢谢
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