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MM5Z5V1ST1G规格参数介绍, i* L' p0 p3 p8 A4 \
3 ^ z9 U; Y) s# B规格参数
2 X1 f% m# M2 q1 X制造商:ON Semiconductor
6 s" g: T$ J# X1 l z1 ]系列:-
) o. k# M$ O8 G: ]8 q包装 :剪切带(CT)
( L/ m) H, A4 Y5 V" B$ p# Z电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V m# l. A- ^% \
容差:±2% 1 q- i# |! r# P- @
功率 - 最大值:500mW
2 S0 k. {0 m1 s+ {7 r: G阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms
0 x, q, b8 Z- h2 n+ E3 A/ O不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 8 _3 k" @2 [7 ]& S$ [7 K. g
不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA % N$ \+ g! o, p3 G: B
工作温度:-65°C ~ 150°C , T( |% Q3 W* ^6 \3 `( H- ?/ k# `' \
安装类型:表面贴装 ( ~0 C8 `# X' \3 b) p
封装/外壳:SC-79,SOD-523
7 }5 T) U* i& E) e2 A) T; k8 J _供应商器件封装:SOD-523 / ?) L8 q3 s: J* u- {, d; }
基本零件编号:MM5Z5V1ST1G; {& v5 E; `, r/ r: N! \7 M
1 V4 }$ t" [3 Q! W# W 该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护,在空间非常宝贵的情况下尤其具有吸引力。它们非常适用于手机,手提便携式设备和高密度PC板等应用。$ d# S$ r, L4 M. r
" K+ Y6 _8 O5 T/ _- p
规格特征
6 k5 G- V! S1 k; n7 c* s2 N' y! `3 l标准齐纳击穿电压范围-2.4V至18V
; ?* s" C4 L6 J; [( D4 z稳态功率等级为200 mw
& c4 x% d0 t! S8 C2 j% V小体外形尺寸:0.047×0032(1.20mm×0.80mm). {5 |% c0 [1 @" p
低车身高度:0.028(0.7 mm)9 k$ Q8 o+ }9 L2 ? r! o
每个人体模型的3级(> 16 kV)ESD等级
C. {! G7 ?7 @8 L紧ToleranggV
% \7 i- _) Z$ iAEC-Q101合格且PPAP能力% i# g& w; X, n% {2 x1 Q
用于汽车和其他应用的SZ前缀需要独特的3 H& N) R; `9 f @3 A
站点和控制变更要求4 Q# A8 z+ R$ O
这些是无铅设备. _" Q9 A ?9 i
: } M, R0 |" S0 y4 |
机械特性
3 R, r3 ^. {" j+ B- x' E: q表壳:无空隙,传递模塑,热固性塑料" @8 P! g: ]* ]
环氧树脂符合UL 94,V-0# Z1 T% R" K! Y4 ?
LEED FINISH:100%哑光锡(锡)
- O6 x2 I0 s" n$ M T! p安装部分:任何8 A. k" O- U9 ^5 t
合格的最高回流温度:260℃8 y& h" [/ N6 [) I2 n# T% i2 L
设备符合MSL 1要求$ m7 E0 b# ?' D5 o7 h* V
. `7 O% l, f% E5 A3 E9 n |
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