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 关于DDR3线序的变换请教大神

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1#
发表于 2019-6-28 11:45 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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* ~+ i% E! N( N8 w' D& l6 yDDR3接spartan-6硬核,注意是接硬核
$ L' d" I# F: H7 |  U+ J/ A1 M/ `+ F- G( u3 N6 k8 }
PCB走线走不通,可以变换线序吗
$ Y" x# o% k0 x
4 ~; n5 p" B6 ^1 r) c$ e4 ~我们知道,SRAM是可以的,因为SRAM没有命令操作,如读,写,预充电啥的8 s+ b# A) ~2 ]" d1 l4 F4 y
反正我怎么写进去,就怎么读出来,写进去的数和读出来的数是不变的。2 k- X$ i4 A+ }9 W2 W' \

, n& b& F0 E5 w3 D1 S3 @但DDR就不同了,除开命令控制的这些脚固定不动,其它的是不是可以随意变换呢,6 i( @0 O# W$ k
# [( @# ]+ C8 p! c4 Y. u  u, c
比如说
& j( x8 L5 Y3 X1 N9 z& o7 P: U& F+ M5 D6 }' X) y
1、我不需要单字节操作,将UDM,LDM接地
" C4 L: s* ^& s2、BA0~3序号不对应着接,比如FPGA的BA0接DDR的BA3,等, y! A" q' z1 j! f1 Z
3、DQ0~DQ16也不对应着接,序号打乱,以好走线为准: O# ?# \/ B: P
4、A0~A9和A11,也不按序号来接5 \9 w* c0 |8 H; M7 C
, g* }& W6 K. }9 y
大家说可不可以,有没有这么干过的2 n, a9 n# E" N1 c
+ R+ }, e3 C2 |+ Y% m. X) F
下面附一个DDR3的命令操作3 m3 T* y& @" R- t. A8 {

& M) u/ M5 ~$ Z: h3 r  C

该用户从未签到

2#
发表于 2019-6-28 17:04 | 只看该作者
很棒的资料 谢谢分享
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