HY27US08561A-TPCB详细介绍

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HY27US08561A-TPCB详细介绍
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5 o4 P  }- {1 u8 Y$ ]1.总结说明
       HY27US08561A-TPCB是32Mx8bit，具有备用8Mx16位容量。该器件采用1.8V Vcc电源和3.3V Vcc电源供电。其NAND单元为固态大容量存储市场提供最具成本效益的解决方案。存储器被分成可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据时保留有效数据。该器件包含2048个模块，由32页组成，包含两个16 D串联闪存单元的NAN D结构。编程操作允许在典型的200us内写入512字节的页面，并且可以在16K字节（X8器件）块上的典型2ms内执行擦除操作。页面模式中的数据可以每字节50ns周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口允许减少引脚数量并轻松迁移到不同的密度，而无需重新布置占位面积。
" n! s& z+ T$ w" a- \      使用CE，WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。片上编程/擦除控制器自动执行所有编程和擦除功能，包括脉冲重复，必要时，内部验证和数据裕量。输出引脚R /（开漏缓冲器）在每次操作期间发出器件状态的信号。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。即使是写密集型系统也可以通过提供具有实时映射输出算法的ECC（纠错码）来利用HY27US08561A-TPCB扩展的100K编程/擦除周期的可靠性。芯片可以提供CE无关功能。该功能允许通过微控制器直接从NAND闪存设备下载代码，因为CE转换不会停止读操作。复制功能允许优化有缺陷的块管理：当页面编程操作失败时，数据可以直接编程在同一阵列部分内的另一个页面中，而不需要耗费时间的串行数据插入离子阶段。
% V: n2 b0 h. u2 ~$ c      该设备还包括额外的功能，如OTP /唯一ID区域，块锁定机制，上电时自动读取，读取ID2扩展n。Hynix HY27（U / S）S（08/16）561A系列提供48-TSOP112x20mm，48-USOP1 12x17mm，FBGA9x11mm。
  e+ d9 V5 W, B7 O9 Y7 u+ {* Z
2.功能概要
*高密度NAND闪存
7 a9 C; }, N5 b! W9 p; B( D: |-为大容量存储应用提供有效的解决方案
5 a9 _5 w9 e) F& x  B8 v! l* NAND接口
-x8或×16总线宽度。
- 多路复用地址/数据
- 适用于所有密度的兼容性
*电源电压
-3.3V器件：VCC = 2.7至3.6V：HY27USXX561A
0 S) ]: Y5 y6 O-1.8V器件：VCC = 1.7至1.95V：HY27SSXX561A
*内存Cel1阵列
=（512 + 16）字节x32页数x2,048块
! m4 F8 R: v2 f% H=（256 + 8）字x 32页x2,048块
, h5 a, n4 S( ~) y6 I! H*页面大小
+ z2 j& m, r- P4 h - ×8设备：（512 + 16备用）字节
( E5 R) ]' j, @# F：HY27（U / S）S08561A
-x16device：（256 + 8spare）单词
2 L3 e% Q7 a9 l4 `& S：HY27（U / S）S16561A
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