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1、基本名词
常见的基本结构
■Buck降压
■Boost升压
■Buck-Boost降压-升压
■Flyback反激
■Forward正激
■Two-TransistoRForward双晶体管正激
■Push-Pull推挽
■HalfBridge半桥
■FullBridge全桥
■SEPIC
■C’uk
基本的脉冲宽度调制波形
这些结构都与开关式电路有关。
基本的脉冲宽度调制波形定义如下:
: j6 c' {( O- n3 Y3 E8 d
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# z8 z) a1 N3 l- |0 R# @0 U
7 ~: M) n; n& i+ d; H7 o- M, F8 f2、Buck降压
1 Q$ P* e+ r- O6 _
4 M2 t. \8 l; e( T# K1 W
; N+ @( t1 p6 P
特点
■把输入降至一个较低的电压。
■可能是最简单的电路。
■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。
■输出总是小于或等于输入。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流平滑。
3、Boost升压
/ Q% {8 x# s- F2 W7 E* J
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, F. f6 S' T% k, o
% h \, X1 q) H% r6 R( n& d特点
■把输入升至一个较高的电压。
■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。
■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。
■输入电流平滑。
■输出电流不连续(斩波)。
4、Buck-Boost降压-升压
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# u+ k, j# D8 H
/ H* `$ A1 c5 M5 r& z$ N! v! o' `特点
■电感、开关和二极管的另一种安排方法。
■结合了降压和升压电路的缺点。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流也不连续(斩波)。
■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。
■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。
5、Flyback反激
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! e- Y# P; h- P9 u2 v# z: r' E
. o, v! Q0 g; C特点
■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。
■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。
■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。
■这是隔离结构中最简单的
■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。
6、Forward正激
2 ^+ n3 E, C8 @: i1 |. A![]()
. J# P; A5 w/ h' c( v6 J
+ Z, b6 g# ~% D: u& Q7 C1 l特点
■降压电路的变压器耦合形式。
■不连续的输入电流,平滑的输出电流。
■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。
■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。
■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。
■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。
7、Two-TransistorForward双晶体管正激
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) D8 T4 e6 @* w3 j/ P U4 t$ z- x" A; s! [( R0 G
特点
■两个开关同时工作。
■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。
■主要优点:
■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。
■无需对绕组磁道复位。
8、Push-Pull推挽
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. k3 x: | t# h$ L6 H/ I1 c7 E6 x: @3 o# }3 A6 e7 V& a
特点
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。
9、Half-Bridge半桥
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+ C( ?4 F( U& d
6 k3 L, O4 a5 [" `- n" i特点
■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压与输入电压相等。
10、Full-Bridge全桥
3 U& D9 X9 _6 k) [. ^+ w7 q: b
) ]+ s0 d) z: E/ a7 J1 u/ z1 X
4 X8 l3 P3 ^, Q; i E4 F特点
■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。
■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FETs上的电压与输入电压相等。
■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。