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开关电源的11种拓扑结构

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    发表于 2019-6-15 09:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    开关电源的11种拓扑结构
    5 D1 n0 ?! O) A% L

    2 c2 H+ w6 f: c1 F# g! f5 {: e
    ' Y' W7 c: e) j6 p: c

    1、基本名词

    常见的基本结构

    ■Buck降压

    ■Boost升压

    ■Buck-Boost降压-升压

    ■Flyback反激

    ■Forward正激

    ■Two-TransistoRForward双晶体管正激

    ■Push-Pull推挽

    ■HalfBridge半桥

    ■FullBridge全桥

    ■SEPIC

    ■C’uk

    基本的脉冲宽度调制波形

    这些结构都与开关式电路有关。

    基本的脉冲宽度调制波形定义如下:

    : j6 c' {( O- n3 Y3 E8 d

    # z8 z) a1 N3 l- |0 R# @0 U
    7 ~: M) n; n& i+ d; H7 o- M, F8 f

    2、Buck降压


    1 Q$ P* e+ r- O6 _4 M2 t. \8 l; e( T# K1 W
    ; N+ @( t1 p6 P

    特点

    ■把输入降至一个较低的电压。

    ■可能是最简单的电路。

    ■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。

    ■输出总是小于或等于输入。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流平滑。

    3、Boost升压

    / Q% {8 x# s- F2 W7 E* J

    , F. f6 S' T% k, o
    % h  \, X1 q) H% r6 R( n& d

    特点

    ■把输入升至一个较高的电压。

    ■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。

    ■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。

    ■输入电流平滑。

    ■输出电流不连续(斩波)。

    4、Buck-Boost降压-升压


    ( d3 {( }! E2 S6 n. F  l2 `
    # u+ k, j# D8 H
    / H* `$ A1 c5 M5 r& z$ N! v! o' `

    特点

    ■电感、开关和二极管的另一种安排方法。

    ■结合了降压和升压电路的缺点。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流也不连续(斩波)。

    ■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。

    ■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。

    5、Flyback反激

    / @. b8 r8 D, }/ S" [% M2 H: r/ b1 @

    ! e- Y# P; h- P9 u2 v# z: r' E
    . o, v! Q0 g; C

    特点

    ■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。

    ■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。

    ■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。

    ■这是隔离结构中最简单的

    ■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。

    6、Forward正激


    2 ^+ n3 E, C8 @: i1 |. A
    . J# P; A5 w/ h' c( v6 J
    + Z, b6 g# ~% D: u& Q7 C1 l

    特点

    ■降压电路的变压器耦合形式。

    ■不连续的输入电流,平滑的输出电流。

    ■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。

    ■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。

    ■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。

    ■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。

    7、Two-TransistorForward双晶体管正激

    ! t9 U; F, N" Q4 |; q

    ) D8 T4 e6 @* w3 j/ P  U4 t$ z- x" A; s! [( R0 G

    特点

    ■两个开关同时工作。

    ■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。

    ■主要优点:

    ■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。

    ■无需对绕组磁道复位。

    8、Push-Pull推挽


    1 a/ f% ]: X* E2 l% J# i' J' ^( ?
    . k3 x: |  t# h$ L6 H/ I1 c7 E6 x: @3 o# }3 A6 e7 V& a

    特点

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。

    9、Half-Bridge半桥


    ! ^% d5 j/ q, c5 A- k. b$ b. W4 _  W
    + C( ?4 F( U& d
    6 k3 L, O4 a5 [" `- n" i

    特点

    ■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压与输入电压相等。

    10、Full-Bridge全桥

    3 U& D9 X9 _6 k) [. ^+ w7 q: b
    ) ]+ s0 d) z: E/ a7 J1 u/ z1 X

    4 X8 l3 P3 ^, Q; i  E4 F

    特点

    ■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FETs上的电压与输入电压相等。

    ■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。

    ) }( r* F' S; g; |1 M( y8 n/ |" a

    1 \0 ^6 ]9 d% L

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-6-17 11:24 | 只看该作者
    学习啦,7,8推导不出来,大神可否加上推导过程。。。。。
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