Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？
7 g& i# V! ~* l* ~  G

但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%

所以想问一下
/ t+ ?+ C& G( B1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
  t- b0 [* e" ~+ ?6 y2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

wu6886

看看
/ f, u: p$ C1 q( F3 c; {

hyz12888

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curry_wang

感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
" B1 s& }: m- z2 p9 c. i0 P  a

上山砍柴

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Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
...

, Q- i4 T# I* _8 E( |: R哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
$ C! V$ r  K! V- G: P  K没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
! O" c2 e0 f8 U- F8 t; f多谢

Joen0_0

看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
$ T7 \  i0 w. G2 y" x/ g; w% y: C但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥

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Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
1 f( l0 d5 F. ^4 ]; j5 X请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

- C3 e3 h1 C2 y" o  U
多谢????

2 m$ V& {# {$ V

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anguchou

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yff014250

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