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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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2 K5 n0 `! _6 a& a0 a" M# d3 k最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。3 a6 j9 O! s+ w# o5 h7 Q) g
看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?3 b2 a* t( V0 Q* N7 t
& v! C: \$ S+ t; p5 q0 @/ m% k* z
0 v; N' c) s% l2 ^3 `& f$ u# \  Z
但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%3 `; Q/ R8 d4 d" L) L( F
8 k- i9 ~5 i' |
所以想问一下
& C9 N; `0 G) T5 E6 L1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?
4 V3 \8 E5 p5 }* F0 b; T; m2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?; S! f; \! K; q7 n, i+ S5 n

1 B2 M7 G4 h9 s1 a; @) G

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑 % j, J( B% D/ c  X0 u4 J
% W; [5 U* y8 T
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。8 P8 S: K: S" j: P) U( B( k! y
2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。
( W- {5 I2 I4 B; [$ C( `$ t  K3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。$ i6 R3 k; M5 g$ e5 l$ t

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
" J/ j! g6 z, l感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。) u3 W; ?+ W7 ^" m, z1 y
...

4 s5 z! ?' B- n7 W/ T! ?8 S) e7 d哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!
* r3 z4 e5 P$ e$ b9 I- [没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!$ w" M6 W1 ?+ s* y' x9 P0 Y# ~
多谢
5 z3 Y3 |: w% A( B  u/ w

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7#
 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者

3 w) o4 l+ V4 `9 H  ?. o& o/ N, i4 E1 e# Z6 T9 b4 l9 D4 z7 T
看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上. N+ ]) n3 ~( T8 k7 d: y
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看# a- x/ Z, g2 e  C( g

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者

1 A$ {) \& c+ [5 G& d
& j! ]' C; R& k) e) {多谢????% ~$ ^. J' T1 J, H8 z
/ R  [9 S4 |) L& ~$ h

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-6-13 00:19 | 只看该作者
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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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