Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
+ V  [8 f2 x, s$ r& H看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？
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但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%
2 |3 Z* O0 Y4 N& g
+ M2 @5 y9 R( w所以想问一下
1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

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wu6886

看看
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curry_wang

/ B; a  B6 t( L8 [  }5 _
5 T: ^  X( |+ I& R% w' Q感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
6 \3 X5 Z% Z2 @2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
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上山砍柴

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Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
( j+ k- P1 D! f; m' ^( T感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
  x$ ?5 [, M% h, P1 X& ~" o) R! w ...

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
多谢
3 Z1 x, R6 A2 J4 ]+ K& |

Joen0_0

3 c* a2 Z8 T+ z: H( [% k$ H$ N2 e
) q% s, A1 O5 U( C9 S% x8 f看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥

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Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

多谢????
+ Q- u3 }" S* v
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