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NC7NP34K8X-NL特点介绍& _' F% ]8 B* l( L) r5 }. z
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概述9 f8 c3 K2 G5 g3 _! ^$ N
该NC7NP34K8X-NL是飞兆半导体的超低三重缓冲功耗（ULP）系列TinyLogic的应用的理想选择其中，电池续航时间是非常关键的，这款产品是专为内伏超低功耗cc操作0.9V至8.6V的V系死C该内部电路由最小逆变器的阶段，包括输出缓冲器，以使超低静态功耗和动态功耗。( W" c+ m8 Z7 v% _" A3 M- l4 G- ]
该NC7NP34K8X-NL是专为优化的电源和速度，并且被制成与先进的CMOS技术来实现高速，低噪音运行，同时保持极低的CMOS的功耗。
! h2 V+ |- P! ]8 n, Q
; |' C S% l/ [* r% @, |* x/ q特点8 j' o2 }% ?* b. e
-节省空间的封装US8* j9 }- e& c0 l9 N1 @
-超小型的Micro Pak无铅封装' J* s+ s+ r a& j
- 0.9V至3.6V-电源供电
9 T6 V1 k x* B# z/ Q8 M-充容的3.6V过压的I/O在VccO.9V至8.6V% b) p0 j) R' H8 Y% i+ k( E) h# ]3 e
-TPD' W N. Y/ N4 L# I. L* b0 b7 q
4.0ns的典型工作电压为0V至3.6VV/ r, |" g7 j$ F$ z" {& Z5 ]
5.0纳秒典型为2.3V至2.6V- D$ ~1 M' A' W# P* b# e
6.0纳秒（典型值）为1.65歪1.95VV
; \8 S8 F# P, R2 H; E( N! K7.0纳秒（典型值）为1.40至1.60VV* r5 l1 A: R% T! K% e: V5 H7 V$ r
11.0纳秒（典型值）为1.1/至1.30VV4 X# H: W, X1 E. l, P( `( K
27.0纳秒（典型值入泡0.90VV0 b# }8 g9 k0 v* Q
-断电高阻抗输入和输出
3 Y% v4 `0 u0 F-静态驱动
/ C1 [6 x6 q6 T, g2 c6 i2.6毫安@3.00E/
1 m* L, s H. e: c- ]$ e; ]& u3 ~2.1毫安@2.30y
" [1 H2 u1 [1 P) `! m6 M2 h1.5毫安@1.65/
) p% j& ]0 u' E7 q1.0毫安@1.40/# v+ Q- [; Q" w' L' ~" F6 @+ B
0.5毫安@1.10℃y0 Q3 V6 Z$ e2 P; E# U1 E
20A@0.9VC9 A/ _* g* [: `4 p6 u
-采用的设计技术低噪声开关
1 {! s( }5 x$ y6 c+ ? 宁静系列阑声/EM抑制电路' x: ^5 [4 f0 {9 `! F" X* E5 h
-超低功耗动态% p! h' a, u6 K# F; `7 L$ Q$ s/ w
0 _& j# l4 i9 |8 q% R
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发表于 2019-6-4 16:35
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