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如何判断MOS管的好坏?

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发表于 2019-6-4 09:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如何判断MOS管的好坏?
& P+ F% ], o' U3 L( |" |
判断MOS管好坏的方法有两种:
! K1 K+ y9 T) ]$ {第一种:定性判断MOS管的好坏4 x5 |# [5 Q4 F7 f0 o: {
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明MOS管是好的。
  S- i* X% W4 p1 @9 s

2 Y9 n8 d) {9 O' C" Q. _6 z8 J第二种:定性判断结型MOS管的电极
9 O- y$ H5 C7 n: C5 `+ K将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。
5 t5 V7 B2 h* K- {判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。
3 Z/ v0 M. [% g% h1 b注意事项:
9 {# {+ m, f. |7 n) ^- d6 w(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对MOS管起到偏置作用,使之进入饱和区。(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。
6 X* u6 m/ b/ J& t; U- `1 K- v9 t% L) t3 A5 o- m6 {* Q% A% J7 `

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2#
发表于 2019-6-4 17:04 | 只看该作者
原来是这么回事

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3#
发表于 2019-6-4 17:25 | 只看该作者
現在才知道
  n' i) p. C9 J3 A- a! I5 s% @

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4#
发表于 2019-6-4 17:54 | 只看该作者
現在才知道
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