TA的每日心情 | 开心 2019-11-19 15:19 |
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电容器阻抗/ESR频率特性是指什么 1 5 }7 L2 e1 T+ Y8 {' b1 ]
阐述电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性。
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p, B9 W7 I3 ]4 f通过了解电容器的频率特性,可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断,可以说是设计电路时不可或缺的重要参数。此处对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明。
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; y5 |; J$ Y5 B0 R6 U6 k1.电容器的频率特性
. p! h A( P5 B/ e) m如假设角频率为ω,电容器的静电容量为C,则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式(1)表示。$ V. g, o! [1 Z
; l. B$ z0 r6 P2 a( q
图1.理想电容器 1 K1 y8 U$ M0 {
$ `' C. g% t; B
由公式(1)可看出,阻抗大小|Z|如图2所示,与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗,故等价串联电阻(ESR)为零。
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图2.理想电容器的频率特性
, R0 ^4 X2 F4 O; e# Z3 N3 b8 P6 F) f! n9 i
但实际电容器(图3)中除有容量成分C外,还有因电介质或电极损耗产生的电阻(ESR)及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此,|Z|的频率特性如图4所示呈V字型(部分电容器可能会变为U字型)曲线,ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。
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: Q- z& H$ ~2 ~6 ]3 U2 U C$ i6 h图3.实际电容器 7 \9 ^" ]' L! x3 [, `
+ v- s. T& {+ L! `) h4 o图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例) ) p& c/ {7 X: r1 K2 J5 x
, K4 X- ?6 z. p' V& [1 J& }5 f|Z|和ESR变为图4曲线的原因如下。( U8 h$ k6 b6 s$ R7 ]7 [
& d2 X7 `6 ]+ v/ `: }低频率范围:低频率范围的|Z|与理想电容器相同,都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。- M* w( k) r+ p/ |$ T, h9 l$ v; i) x
) C2 T. { d- P9 N2 [) d2 A7 Y' B4 ?
共振点附近:频率升高,则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响,偏离理想电容器(红色虚线),显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率,此时|Z|=ESR。若大于自振频率,则元件特性由电容器转变为电感,|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域,反之则称作感性领域。7 ^! u% H$ ?* [4 Z! Y: U. i$ l
ESR除了受介电损耗的影响,还受电极自身抵抗行程的损耗影响。% X- X1 d6 p) X9 b: X; g
! q. m0 f; e3 T8 \ M& |/ _; c1 h3 ^7 Z& o9 r
高频范围:共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似得出,与频率成正比趋势增加。ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。 ]; `$ d: T5 D
' j. {3 ^5 ^5 k% @3 a) f! [6 P# N# a9 I4 v' `+ @
以上为实际电容器的频率特性。重要的是,频率越高,就越不能忽视寄生成分ESR或ESL的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多,ESR和ESL与静电容量值一样,成为表示电容器性能的重要参数。
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