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MM5Z5V1ST1G规格参数介绍
- \" O( I3 J4 W! T, N3 W2 [6 p8 \* D! N! B' @
规格参数* r& _- T& {! n+ O7 K5 [5 m
制造商：ON Semiconductor
6 J6 _9 D0 k6 p4 u! m- W) Y" E5 s9 I系列：-
* R, Q2 m. l1 t# O8 H* o包装 ：剪切带（CT） , V0 n; R9 t; ^* l i0 q
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：5.1V 4 m/ g$ b* Q" m) _. G
容差：±2%
0 [% M7 ?4 O. `0 Y6 G功率 - 最大值：500mW # u2 Z# p; D8 n" }- ?6 N
阻抗（最大值）（Zzt）：60 Ohms
* J- I/ L1 n7 k6 c5 f: \! E不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：2μA @ 2V 5 w) x5 g% p+ [
不同 If 时的电压 - 正向（Vf：900mV @ 10mA
# f- u: F% |" d) R6 D工作温度：-65°C ~ 150°C & O- z) ^6 }8 u1 M' U/ W
安装类型：表面贴装 0 N' \' x& B* f0 r
封装/外壳：SC-79，SOD-523 * ]3 m2 j: t k! Q1 ]" M
供应商器件封装：SOD-523
8 l8 v8 U& {4 [+ @8 b3 X基本零件编号：MM5Z5V1( x) V' r4 Q' p: F% N
, w, a) P! \6 n6 X+ k
该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间非常宝贵的情况下尤其具有吸引力。它们非常适用于手机，手提便携式设备和高密度PC板等应用。
! V/ O; N' ?, f$ I0 W/ K
% j& x. a- I6 i# E3 L规格特征
1 t2 q' E3 x% c5 a- O% r标准齐纳击穿电压范围-2.4V至18V2 N* f% E% x( V& U; g7 `
稳态功率等级为200 mw
( _# l" f! m$ |4 d& `* k9 X* X小体外形尺寸：0.047×0032（1.20mm×0.80mm）
4 D! s0 f. M$ N& q5 M1 E9 |低车身高度：0.028（0.7 mm）, p- C* x( Q6 z, W5 O
每个人体模型的3级（> 16 kV）ESD等级
# D6 `9 ~( @. v紧ToleranggV
( K$ `) M( e" P9 K* V6 b0 D6 E( JAEC-Q101合格且PPAP能力
$ i9 b7 S4 q: L; e& R- r0 z用于汽车和其他应用的SZ前缀需要独特的
+ E* d1 i- C8 c Q- r站点和控制变更要求: e' Y5 T3 {1 |# g
这些是无铅设备
1 a; ?6 R9 \; D/ w/ n. M$ ?, W# o* y( V. |: Y
MM5Z5V1ST1G机械特性7 V |3 {" L' U5 z. P1 o# |
表壳：无空隙，传递模塑，热固性塑料' h* A. G4 F, [5 ]& B' O
环氧树脂符合UL 94，V-0
8 ? o8 X3 T1 jLEED FINISH：100％哑光锡（锡）1 _* w7 s( Q& ?( q
安装部分：任何
/ `0 J/ s& v4 o, m! w合格的最高回流温度：260℃- |/ z4 ]9 O) m$ u
设备符合MSL 1要求0 v3 g& u' @3 F5 v( R) ?
' o/ I. Q g/ Z" @
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发表于 2019-5-31 14:09
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