|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
基于VHDL的SRAM 的读写访问程序 / ^# |! f: ^- O+ \+ l7 n' q% l, S
, I' @0 _# R2 V Y4 Q# b' |" l本文中的SRAM 指ISSI公司的IS61LV25616 ,本问中读数据采用简单的地址控制方法.写采用SRAM标准的写时序.
0 Q" A+ d8 i1 b) i) _说明:# G0 I! l- U7 g, T% k, y. [
软件规划如下: 采用VHDL作为设计输入语言! {% \5 a+ E1 O' N D; C* ^
内部控制端口: 地址输入[17:0]( g3 {# f( f( s/ Y/ A* g% U
数据输入[15:0]
$ N8 O( B" K. y0 E 读写信号R/W#, 高电平表示读信号,低电平表示写信号) o* v9 s& |( e
数据输出[15:0]
5 g# ^) S8 s4 Z5 {; c SRAM 接口 : 地址输出[17:0]8 ?8 i& X2 A; @1 v$ h
双向数据总线[15:0]
: m t" C5 w) L3 @) R- C; l9 _ 片选CE#( }- w. }/ c/ g1 y9 z
读OE#/ Z+ _ ^6 V. q+ K) t
写WE#
; H- [ W) P5 M LB#,UB# 一直有效
C8 U1 ^; e, R9 U7 f/ e+ Z3 w; e4 O4 K6 x) W' ]. z
4 M* a2 q( D. w, d9 ^/ J
1 q' C0 L0 J- G3 a5 ^ |
|
/1 
发表于 2019-5-29 10:23
收藏
淘帖
支持！
反对！