|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
快速了解K4B2G1646F-BYK0
! C& F) |* F: M P9 H) I& n- b# V5 \; ?& H
K4B2G1646F-BYK0组织为16Mbit x16 I / O x8 bank设备。对于一般应用,该同步器件可实现高达1866Mb / sec / pin(DDR3-1866)的高速双倍数据速率传输速率。' U* g8 K) S) r( m) h7 F N2 i
该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM特性,例如发布的CAS,可编程CWL,内部(自)校准,使用ODT引脚的裸片终端和异步复位。3 ^2 b" c# M$ O: P; t0 r
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有I / O都以源同步方式与一对双向选通(DQS和DQS)同步。地址总线用于以RAS / CAS多路复用方式传送行,列和存储体地址信息。 DDR3器件采用1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)单电源和1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)VDDQ工作。K4B2G1646F-BYK0器件提供96球FBGA(x16)。
4 Z: ?3 Z) S# K/ J+ a$ P7 c3 W" Z* h, |7 p: V
特征6 i; t; r1 K9 I
·JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V)和1.5V(1.425V~1.575V)$ m! u, g& g+ V' |. k7 q1 \1 G
·VDDQ = 1.35V(1.28V~1.45V)和1.5V(1425V~1.575V)
1 H$ D6 y4 ]( J% r/ I+ c·400MHz fCK,800Mb / sec /引脚,533MHz fCK,1066Mb / sec /引脚,
" p }( a9 {& b# v: ~7 d# {667MHz fCK用于1333Mb / sec /引脚,800MHz fCK用于1600Mb / sec /引脚, w5 g# y6 F# z4 |" R# ~" s
933M HzfCK,1866lvMb / sec /引脚+ J! t% J2 N# U) ^0 \7 Q
·8Banks6 V0 } {0 g, a/ j
·可编程CAS晚期(CAS):5,6,7,8,9,10,11,13' R7 W" f+ b) l; v" Q" m: |
·可编程附加延迟:0,CL-2或CL-1时钟
2 Q3 L9 @ H, s- u/ q9 B, [; k·可编程CAS写延迟(CWL)= 5(DDR3-800),6
8 B1 t% ?' `+ U) b(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600)和9(DDR3-1866)
; u# y' G! D- G0 e·8位预取
8 e3 g: T8 s# I1 Z+ s& |( p·突发长度:8,4,tCCD = 4,不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS即时进行]2 N8 }& c+ J: b- i0 N9 ?
·双向差分数据选通
! N, `+ m$ ~6 I·内部(自校准):通过ZQ引脚进行内部自校准(RZQ:240ohm±1%)/ B8 U0 }2 C( y; a6 U7 R' {
·使用ODT引脚进行裸片端接% x* i9 }. Q. J
·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85 C,3.9us,85 C-EASE <95 C D+ j) Z" y" L8 _ P) o) J
·支持工业温度(-40.95 C)
# n q: r# Z/ W5 h3 f3 M H-tREFI 7.8uS at-40 C S TCASEs85C) x! W9 t V! l7 y% h
-tREFI 3.9uS,85OC <TCASE≤95C0 ^3 g r8 L- M
·异步复位
; F! {- i: ]% I2 D, C·包装:96球FBGA-x16
x, ]" {& X4 e Z2 y·A1lof无铅产品符合RoHS标准
! Y e# b- |( E·所有产品均不含卤素) K# \; Z: z3 b2 F% P
{6 D4 s _8 J( ]- r
|
|