快速了解K4B2G1646F-BYK0

Cinderella0922

快速了解K4B2G1646F-BYK0
" d; ]. q8 |6 X5 m
      K4B2G1646F-BYK0组织为16Mbit x16 I / O x8 bank设备。对于一般应用，该同步器件可实现高达1866Mb / sec / pin（DDR3-1866）的高速双倍数据速率传输速率。
      该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM特性，例如发布的CAS，可编程CWL，内部（自）校准，使用ODT引脚的裸片终端和异步复位。
8 C" F# `0 d# Q      所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）。所有I / O都以源同步方式与一对双向选通（DQS和DQS）同步。地址总线用于以RAS / CAS多路复用方式传送行，列和存储体地址信息。 DDR3器件采用1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）单电源和1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）VDDQ工作。K4B2G1646F-BYK0器件提供96球FBGA（x16）。

4 l' j6 Z% |3 L/ g) H! I特征
·JEDEC标准1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
·VDDQ = 1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1425V~1.575V）
9 z2 r$ `' a# f6 J- u·400MHz fCK，800Mb / sec /引脚，533MHz fCK，1066Mb / sec /引脚，
% k3 [/ S/ _9 l/ J, r# _9 o+ `667MHz fCK用于1333Mb / sec /引脚，800MHz fCK用于1600Mb / sec /引脚
933M HzfCK，1866lvMb / sec /引脚
·8Banks
·可编程CAS晚期（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,13
8 Z9 h. I. t4 c·可编程附加延迟：0，CL-2或CL-1时钟
* i2 ^0 F. C( E·可编程CAS写延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6
（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
·8位预取
·突发长度：8,4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS即时进行]
: H7 u2 _" {, g- o·双向差分数据选通
) @* D, t" q# ?' A: T·内部（自校准）：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240ohm±1％）
' s) [# ~. q" }. I·使用ODT引脚进行裸片端接
* o1 \0 \+ v8 S' f  X8 \4 j·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85 C，3.9us，85 C-EASE <95 C
·支持工业温度（-40.95 C）
/ C- H/ [4 p8 s( w-tREFI 7.8uS at-40 C S TCASEs85C
1 q; @( n7 D% r-tREFI 3.9uS，85OC <TCASE≤95C
·异步复位
·包装：96球FBGA-x16
) |7 U' A& j* i5 p1 ?+ m·A1lof无铅产品符合RoHS标准
·所有产品均不含卤素
& H! w' z# n) c/ ?- v& H5 i  U
4 d+ V4 \" d- ^4 B* x# e! f6 t7 r