可用串口配置的SDRAM控制器，附实现工程、源码和仿真~~

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可用串口配置的SDRAM控制器，附实现工程、源码和仿真~~

0 q* P) ]& a! |( V, }自己写的SDRAM控制器，用的是黑金的DB2C5开发板，Hynix的SDRAM（HY57V641620ET-H），不过仿真时用了一个Sumsang的SDRAM（mt48lc1m16a1）仿真模型，代码编辑器用的gvim。配置模块用了标准的UART协议进行SDRAM数据、地址和命令的控制，用这个的朋友可以从串口助手向FPGA写入你想要的地址和命令，然后送到SDRAM。因为开发板上也只能用串口和PC连接，串口模块也是很久以前写的了，懒得改所以导致配置过程稍麻烦，用的时候需要耐心一点。仿真的话直接运行/sim/目录下的批处理文件就行了，当然你要先确认你的仿真器环境变量设置正确而且file list中的库文件目录和你的安装目录吻合。
% ?0 W0 E( p7 a! g- Y6 n    顺便有一个问题需要请教一下：我做实验是设置的模式是CL=3，而且仿真时没有问题，时序一切正常，但是用Signal TAP抓信号的时候发现SDRAM的tAC参数远大于DataSheet上的标准，这就导致我在读SDRAM时必须晚一个是时钟从数据线DQ上采数。也就是说我设置CL=3以后，三星的仿真模型是正常的，但是板上的Hynix片子出数要晚一个周期，Hynix的datasheet比较坑，我到现在也没找到原因，不知道哪位用过这两款芯片的能给解释一下，我觉得不应该是它们的参数意义不同。

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