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 为什么用ADS仿真所得的晶体管的IV曲线和datasheet中给出差距很大

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1#
发表于 2019-4-17 11:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
使用的晶体管:ATF-52189
' f* W7 Q" b2 w% xdatasheet中给出的IV曲线
$ ^, c2 t: t' T. r, E0 i1 c' I+ L
, _8 {! k" t7 K" bADS仿真电路图:
  E5 v, j3 v7 H6 d
3 L& A( B/ u3 T2 \7 y, M" N5 N$ P+ L. U3 e
ADS仿真结果:
2 Q" A( W* b; L$ e $ ?* t& B! i/ \( ~: ~  Y

' @9 O& o# J# ^可以看出相应的VDS所对应的IDS和datasheet中给的相差很大啊。晶体管的ADS模型我就是用的厂家所提供的。5 Z0 e4 m4 X  S1 C* C! t' t+ E
ATF-52189_ADS.rar (119.91 KB, 下载次数: 2)
5 T! z0 ^3 d* {请大神指点,非常感谢!# g: w) [) j! \% \1 M

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2#
发表于 2019-4-17 15:10 | 只看该作者
ADS 原理图的很经典。
9 q& \$ S& M( L3 R' |4 U

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3#
发表于 2019-4-17 15:12 | 只看该作者
下面要检查, b# G5 u" v/ S! G  z$ F2 \1 Y
1、ADS 的库调用。现在不同的ads 版本对库文件的调用方式不同
- t4 e: S8 u' G* U( J2、检查器件资料和仿真文件的对应关系。

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4#
发表于 2019-4-17 16:01 | 只看该作者
可以尝试一下layout仿真

点评

这个说法有问题。 V-I曲线仿真属于直流仿真。 Layout不会影响直流仿真结果。  详情 回复 发表于 2019-4-17 19:48

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5#
发表于 2019-4-17 19:48 | 只看该作者
abcde1234 发表于 2019-4-17 16:013 B+ E1 Q' X* \
可以尝试一下layout仿真
- \! U: X3 V& U- G1 a# T
这个说法有问题。3 y* W! E3 u4 z) Q4 L6 [* H7 S' S: w
V-I曲线仿真属于直流仿真。
5 Y9 P( i( w! I- VLayout不会影响直流仿真结果。
( t+ H$ p+ o9 M" P/ Y% B9 m* {
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