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DDR3相关处理

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1#
发表于 2019-4-15 09:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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求DDR3的电源处理及信号处理

该用户从未签到

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发表于 2019-4-15 17:49 | 只看该作者
1.地址控制与时钟等长;) w) ?  V- Q$ W' S
2,数据与DQS登场;
: M% z& G5 K! p" Q: n5 n5 j因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格来控制。比如10Mil等长3 A- w7 b" n: @1 R
3.地址,数据,时钟,DQS在允许的情况下都按照3W设计,减少串扰,且不要跨分割,参考GND或DDR3自身电源平面0 @; I' {% k$ |, w9 r
4.SSN优化:重点关注BGA控制芯片DDR3接口的pinmap,有些芯片pinmap排布回流地很少,很容易导致SSN问题,此时在设计时需要在DDR3信号过孔旁尽可能的补齐GND孔  _$ A' m4 T3 ]3 `. D6 J$ x( Y
5.拓扑结构:DDR3一般走fly-by就可以了,一驱多的话就正反对贴+fly-by。
( S7 A8 O4 A( B0 M! M4 ^6.对于一驱多场景,控制芯片到第一片DDR3的走线阻抗控制40ohm,后面的走线阻抗统一60ohm(经验。不放心的话可以仿真确认)
' p9 h$ k$ n  e) `6 e0 ?4 L做到以上6点,不仿真直接设计,也不会有啥问题。& J% R2 f; F  l9 h

点评

你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:58

该用户从未签到

3#
发表于 2019-4-15 09:32 | 只看该作者
走线不要跨分割,DDR3下面确保平面完整,数据线分组,同组等长而且最好做在同一层,数据线等长误差越小越好,地址线走T或者FLY-BY,看情况用哪一种了,后者居多,地址线参考CLK做等长,地址线误差可以大一点,走线最好是3W,空间紧凑的情况下最少也要保证2W,走线控制好阻抗(单端、差分),差分走线注意等距等长,电源做好滤波,REF。
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2019-4-15 15:10 | 只看该作者
    重点如下:
    2 Q3 ]8 `1 c4 c% ~* b4 n1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有些平台需要将主通道阻抗降低)% c4 ~8 i& F4 @5 E
    2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长
    7 W: W6 B" }2 r8 o' e3、间距,组间间距、组与组的间距以及单线跟DQS/CLK的间距/ V! Q+ v7 L- w! I1 w9 ~
    4、电源,最好的用平面层割出、VTT铺铜,VREF加粗
    : N( X# i% u- Y- _重中之中是拓扑结构,看芯片是否支持读写平衡再决定走T或FLY-BY  这个错了  以上4点做得再好也是白搭

    点评

    你好,你这里提到的第二点 2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点 信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:44

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-5-24 15:44 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-4-15 15:10. r3 x1 `& m4 F9 W" u1 G. P
    重点如下:$ M" s3 K8 |" x
    1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有 ...
    7 }" o1 ^3 P5 O
    你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点
    0 \! D! C  N2 C$ ~: p. V' r- A信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址线是参考CLK吗?$ R2 l. T! {+ J- a

    点评

    DQS跟CLK控等长 DQ跟DQS控等长  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:21

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-5-24 15:58 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-15 17:49
    . j# B3 ]6 o3 U1.地址控制与时钟等长;$ i3 m2 N  E  e1 X' K0 H7 F
    2,数据与DQS登场;% ~- I  v8 e. {6 k( s
    因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格 ...

    . \$ h% `8 n4 a9 i9 k你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部等长的,太辛苦了
    ' }( a2 r) i! I  x3 M: b- C

    点评

    每个主控平台要求的标准不一样 可以参考芯片设计要求指导书 但是比较通常的是按500以内  详情 回复 发表于 2019-11-18 14:46
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。 所以第一点和第二点没有关联  详情 回复 发表于 2019-5-25 22:35

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-5-25 22:35 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:58
    ! W& I5 F' v2 z6 y5 a) [你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...
    ) H( ^" h3 c8 c8 Y3 X" w
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。
    & b2 Y0 N  z2 b% R5 V' j, x所以第一点和第二点没有关联
    ) Y. D3 l4 u4 [2 ?3 R
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    10#
    发表于 2019-11-4 12:21 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:44
    0 W* `  a! J$ u& V1 o" ]你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点
    3 i, R$ J+ h0 {" l. Z/ J1 t ...

    & G* d0 ~" F. JDQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    点评

    基本上 所有线都是参考CLK 的 DQ是间接参考CLK  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:22
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2019-11-4 12:22 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-11-4 12:21! I4 @# Z2 J, e4 e6 ?
    DQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    ( d5 s% [! u% {. a& ?. g基本上    所有线都是参考CLK 的   DQ是间接参考CLK
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    12#
    发表于 2019-11-18 14:46 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:583 D' a4 |% W, S* x
    你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...

    " v) Y3 ?$ `. }每个主控平台要求的标准不一样  可以参考芯片设计要求指导书   但是比较通常的是按500以内
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