转——SSD保持数据完整性：Read Retry

Allevi

转——SSD保持数据完整性：Read Retry

Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。
* M' D8 H) }$ K2 A" Zhttp://www.flashmemorysummit.com ... 21_TC12_Frickey.pdf


6 {; l" j) f3 ~4 g8 o" h$ A* J错误概率

• 每1016bit读出现1个错
• MTBF（平均故障时间）2百万小时
• 每年平均损坏0.44%的SSD容量
• 数据室温下平均保持1年
  

NAND几种缺陷
7 Q0 c7 \* l7 e0 }4 p! Y( }( ?: B2 r
如下图，只是分布图平移的可以想办法恢复，因为数据之间还是清楚隔离的。
/ [( q& c* e: P( p! q
) f" n' ?# O/ J, D3 G: C  ARAID
" a9 \$ i" Q1 T7 e* o  u使用多个die奇偶校验，可以挽救整个Die的报废。

0 k7 \: O2 d" W. g/ SRead Retry
' {- m' x, @$ G- o( r$ w/ F
0 o3 q( S7 m! E6 i9 ^4 eMLC的几个数据点电压分布有可能会平移，只要几个分布没有叠加就可以恢复。ReadRetry尝试用不同的参考电压来读数据，直到读出来。

- d, e5 r6 s% X6 t2 Q* G  }) RAdvanced Read Retry
先读附近的cell确定状态，再用不同参考电压读两次要读的cell，根据附近cell数据决定选择哪一个。

* O: p. v; C8 C# a8 x  p3 H用软信息读
2 P9 Y7 U3 t% T' X! |
$ |+ k7 Y+ ~6 U* n5 Q从图中看起来，是从不同的参考电压读到几组数据后综合得到最终数据。这个需要更强大的ECC纠错能力，如LDPC。跟Viterbi译码的软判决过程有点像。

1 O6 F/ U& o  e9 ^/ i( z

kinidrily

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