AO4840L详细介绍

Cinderella0922

AO4840L详细介绍

2 u( a1 Y' A- D一般说明
- ]( B- G3 Z% Q+ a/ f; X7 V       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。

特征
- d5 G' T" E, r3 V- K+ c/ D( s) MVDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
7 v3 z! u  w6 h6 a' U- O: cRDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）
8 _) H- C/ P7 c  H( U* E
详情介绍：
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 G, u: Q% i8 N湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
制造商标准提前期：16 周
- A* t* O( ]9 O- |/ t" z0 ~" C系列：-
3 _! W9 J3 m3 j4 e; Y3 Q包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
) N# P7 J/ D6 ~FET类型：2个N沟道（双）
1 i/ E! R: k( NFET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
0 {# K" H% p9 E7 l. L. p电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
) b  d* D3 |. K# W3 s2 \5 P( W不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
5 P6 ~) J3 ^$ \: Z) g- ^功率（最大值）：2W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装(SMT)
( `+ }1 e% U- ~; q3 q" W封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
0 I0 _1 c7 ]6 U, Y7 v' E: X供应商器件封装：8-SOIC