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高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。& ?7 u$ D/ z+ ]( s8 k: g% T
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$ N4 X4 B' q: D' Z2 q9 d; i 深圳村田(Murata)贴片高频电容0402NPO15pF50V±5%-https://www.youganw.com/product/detail/11323
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! }( a Z& O$ b& H" i NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,所以不建义使用在交流电路中。
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高压贴片电容分三类:# s0 \/ o1 `" v) Y- N
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一类为温度补偿型NPO介质
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NP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。& }& y- \1 Y7 o e* b0 k
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二类为高介电常数型X7R介质1 r% B6 @3 U% W$ Q
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X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。2 W0 h8 @6 ?! B" g$ ]( m
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三类为半导体型X5R介质; X0 U, {& x+ `: Y) q
o9 I# C+ j( z, l' L( G' ]5 J+ A X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。
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优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压
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, h% Y* X& }, }9 ]; P: e/ J2 H 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。0 k7 ?" ~1 {. m9 U4 @9 E
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性能参数:$ r8 V! h) T8 C c, c# e) m
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1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
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2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
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3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
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4.封装0201-0805-1206-1812-2225) M# Z/ x! d) R+ ^. [
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应用范围:9 R8 O) h0 a5 }- B) Y& P3 _
: Q* n$ B! j2 p8 P 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景. C0 W v9 s, c# M, ?
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