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[仿真讨论] siwizard 阻抗设置求解

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发表于 2019-3-16 10:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神,在利用siwave的siwizard进行DDR仿真时,我的设计阻抗时40 ohm其图一这里设置多少,仿真完成后将其对应的S参数进行导出图二的阻抗设置多少,谢谢
3 y& j6 q0 O4 g0 K1 O* n6 m& q

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    2#
    发表于 2019-3-18 19:57 | 只看该作者
    都设50,标准化

    点评

    走线40,端口写50,会不会产生不匹配,产生反射  详情 回复 发表于 2019-3-18 21:51

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2019-3-18 21:51 | 只看该作者
    mggimg 发表于 2019-3-18 19:57% R% |5 Q  T/ H2 t4 R
    都设50,标准化

    ; z! Y$ p2 ^4 [- D: U走线40,端口写50,会不会产生不匹配,产生反射
    " p* g9 F/ m1 P+ u1 P
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    [LV.2]偶尔看看I

    4#
    发表于 2019-3-19 09:19 | 只看该作者
    你彷的是DDR4吗?40ohm,SIWAVE归根到底是算走线的S参数,你可以试下50跟40,S参数肯定有差异,你看下时域波形是不是一致的

    点评

    就是不一样,走线40 Ohm,端接40和50 结果时域就不同  详情 回复 发表于 2019-3-21 22:10

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2019-3-21 22:10 | 只看该作者
    mggimg 发表于 2019-3-19 09:19
    ) H5 {8 t% @1 j5 Q. a1 E你彷的是DDR4吗?40ohm,SIWAVE归根到底是算走线的S参数,你可以试下50跟40,S参数肯定有差异,你看下时域 ...

    0 r! e) x. B- R9 v- A) g7 E6 }2 E/ U  I就是不一样,走线40 Ohm,端接40和50 结果时域就不同( s: Q3 ^! ^; m) }3 l

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    6#
    发表于 2019-3-24 18:33 | 只看该作者
    这里随便设置,进入designer后再修改也可以。  b; J1 h" j& `( e3 @
    端口阻抗要修改为你期望的端口阻抗。

    点评

    谢谢  详情 回复 发表于 2019-4-23 11:01

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    7#
     楼主| 发表于 2019-4-23 11:01 | 只看该作者
    cousins 发表于 2019-3-24 18:33% X4 ?/ n$ p: G* o
    这里随便设置,进入designer后再修改也可以。( q% z7 H2 s1 a/ M- M8 O1 K. A" J
    端口阻抗要修改为你期望的端口阻抗。

    , G, W# k! Y4 N, |谢谢
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