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请教一个关于功放匹配的问题

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1#
发表于 2019-3-14 14:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到有人提了一个关于功放匹配的问题,我也来提一个,只是问题的内容和他的不一样。8 v/ [) O1 [$ A5 T. D0 F
, o. G2 r/ `& C- O3 K: g. d
我的问题是,如果一个功放的输出匹配必须串联一个小电容或者并联一个小电感才能匹配到位,那这样做是否会带来比较大的功率损耗?! g9 F: z& o5 m4 ^; u8 c3 T8 V9 Z* X

" W' C/ L8 Z% K( Y- C, u3 J- X& _串联大电感和并联大电容呢?是否也会带来比较大的功率损耗?求高人解答~
" f: A$ @" s- D
/ p  D5 F2 @/ g) M" m; {
( G" q8 j' C* S5 c7 Z! \

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2#
发表于 2019-3-14 14:16 | 只看该作者
纯电容或者纯电感是不会产生损耗的,造成损耗的都是寄生电阻。楼主可以试试用ADS仿真看看,理想电容电感是否会产生损耗

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3#
发表于 2019-3-14 15:00 | 只看该作者
电容电感的值大小,与整个射频电路的损耗没有必然的关系,但是会影响带宽。串小电容并小电感通常都会让通路带宽变小(不是绝对),这样对于宽带系统就容易造成局部频点失配,从而影响系统功率输出。至于损耗,我们通常关注Q值,Q值越大,损耗越小。有时候相同工艺的电容电感,不同的容感值,自谐振频率不一样,Q值也不一样,所以我们在采用匹配的时候,一定要选择Q值大的器件
: f9 z& Z8 ~/ S3 Q3 `- x

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4#
 楼主| 发表于 2019-3-14 15:21 | 只看该作者
首先感谢楼上的回复,按楼上各位的说法,纯电容电感不会产生损耗,而我们通常所用的SMD器件都是有损耗的对么?

点评

那是当然了,我们通常采用的器件都是集总参数器件,制造的时候必然会有引线。低频下这些引线引线不大,高频下就不可小视了。所以,到了厘米波频段,我们一般都不用集总参数器件来做匹配,而用分布参数的微带线来做匹  详情 回复 发表于 2019-3-14 15:40

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5#
发表于 2019-3-14 15:40 | 只看该作者
needham 发表于 2019-3-14 15:216 W9 P) m0 l3 v/ V, ~! k1 L1 d
首先感谢楼上的回复,按楼上各位的说法,纯电容电感不会产生损耗,而我们通常所用的SMD器件都是有损耗的对 ...

) i* y! Y6 C- ?# H7 `- U+ |; [! ?那是当然了,我们通常采用的器件都是集总参数器件,制造的时候必然会有引线。低频下这些引线引线不大,高频下就不可小视了。所以,到了厘米波频段,我们一般都不用集总参数器件来做匹配,而用分布参数的微带线来做匹配设计。2 w3 {+ H3 D3 c7 [) W: ^8 G% n
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6#
发表于 2019-3-14 15:44 | 只看该作者
嗯,我就是资料多,https://www.eda365.com/thread-200500-1-1.html
/ @- e' E. v: ^) S
1 J6 ~0 U% @/ I* I关于电容电阻电感的高频特性曲线

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7#
 楼主| 发表于 2019-3-14 15:47 | 只看该作者
学些了,谢谢解答
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