AO3414相关技术资料

Cinderella0922

AO3414相关技术资料
% y2 }3 c' D7 }' H
$ |2 N# A2 g+ k; q一般说明
       AO3414采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rsro，低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3414不含铅。

特征
! Z; O+ x. c' {) e; i6 ^( JVos(V)=20V I0=4.2A(Ves=4.5V)
" n1 z% ^% M' t. K) L8 k7 k8 VRos(on)<50m2(4s=4.5V)
Rosco)<63m2(4s=2.5V)
- m  E+ C5 N. ?9 N3 [3 _Ros(onN)<87mQ(4s=1.8)
0 X  s! f8 ?: j2 Q! ~  x
注释：
$ }; W  D2 _( B* I, IA. 的值是在安装在1 In2 FR-4板上的设备上测量的，含2oz。铜，在TA-25 * C的空气环境中。任何glven应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。
B. 重复额定值，脉冲宽度受结温限制。
C. R ua是从结到引导R au的热失效的总和并导致amblent。
0 {  Q  C- a5 h' S5 R3 y7 JD. 使用-300 us脉冲，占空比最大0.5％，可以看出图1至图6中的稳态特性。
- C8 ?! n; }- `  ^E. 这些测试与安装在2FR-4板上的装置2oz相关。铜，在Ta = 25℃的环境中。 SOA曲线提供单脉冲额定值。

+ }% d$ R1 }1 M