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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍1 r# [' g+ N! W* S
- O( }! j3 H, o1 F4 b属性
& i3 r7 d! k- S% `5 _7 i3 F6 F- V制造商: Vishay
3 P9 }# ]5 `3 n产品种类: MOSFET 0 a& ?2 r/ _* F V
RoHS: 详细信息
* K7 s' h% V; s# O% {" {4 P技术: Si
6 y5 x7 u& h: l9 R/ F* S安装风格: SMD/SMT - m) I5 Z' V2 m& @- z* D
封装 / 箱体: SOT-23-3 2 ~" w% y; [8 s, T# p* G' q6 y; W# F
通道数量: 1 Channel
$ k# j+ W( [0 u晶体管极性: N-Channel
3 M: t+ k1 g8 H2 y9 }" r9 K8 \Vds-漏源极击穿电压: 60 V
: ?3 O o! F# G% {, Q _* S3 A$ gId-连续漏极电流: 300 mA
4 `0 \1 u5 [" r; p& xRds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
8 I* }# t: s2 \9 AVgs th-栅源极阈值电压: 1 V
) q. D& s+ C% v1 b' NVgs - 栅极-源极电压: 10 V
' q1 j8 {4 v: l! a$ ~Qg-栅极电荷: 0.4 nC
- ~2 }+ P7 j; z/ ?5 l最小工作温度: - 55 C
8 ~1 X9 q8 D; Q% K8 x最大工作温度: + 150 C 1 ?$ Z6 q& v; i L2 a( W
Pd-功率耗散: 0.35 W , A# l! u1 U( d) o1 c; E! r0 E8 o
配置: Single . r) m6 L% U% `8 Q. X' a- V( s
通道模式: Enhancement 9 |5 G. J4 a9 H# q. h
封装: Cut Tape
( p( |. T" ?# e, g9 X" s封装: MouseReel 8 F% b1 H0 h, n; J
封装: Reel
1 F- R0 E; n5 U! [% A8 X/ \+ b# B7 `高度: 1.45 mm - R* n6 N4 O2 N. v
长度: 2.9 mm
% Y! G( |+ l" n, B4 F1 `( P4 M6 o系列: 2N7002K ! }% L* o1 i( g# a! h0 O& W
晶体管类型: 1 N-Channel e( G2 z) y5 _, X/ A8 l+ i
宽度: 1.6 mm
" S' q, @3 Y; Y商标: Vishay / Siliconix : S" n9 S/ |+ I
正向跨导 - 最小值: 100 mS - V" z. |/ {, j) d# Z8 b
CNHTS: 8541210000 3 ~5 q2 k* q% s7 Q( n
HTS Code: 8541210095
% h6 R, Y `- ~# {1 T' rMXHTS: 85412101
' }1 Q- h- H v/ O, ?& B产品类型: MOSFET
# X& g! O' v: N& t工厂包装数量: 3000
2 a! f, T; n0 Y子类别: MOSFETs
$ K1 ?7 s. q9 P) f: j3 A7 [6 QTARIC: 8541210000
, w/ n8 v& y& N B典型关闭延迟时间: 35 ns
- @4 h R: x; V0 h4 f( v典型接通延迟时间: 25 ns
( V; D* n0 S: N- f" s零件号别名: 2N7002K-GE3 ' O( |0 Y- V( _, I8 i
单位重量: 8 mg! r0 E' M2 g: `$ ^% F% V4 h; Q7 C- l. M
' u, r" Z# `3 D# }1 Q |
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发表于 2019-3-8 14:23
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