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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍
( X7 ^ f, l9 n+ f7 J- _& a
& A. i2 ~: c$ k) S7 l/ T/ C5 b+ C属性
+ g. Z: \6 q1 P6 X5 d制造商: Vishay 5 e9 v. _ g& Z/ c- T
产品种类: MOSFET : l7 w! D* X$ W+ v8 y, e+ n2 S
RoHS: 详细信息
& i& N8 F* H0 n6 q. S1 O技术: Si
6 R: C5 V- q5 S; I# P* c( }安装风格: SMD/SMT / Q' L9 G" U1 b
封装 / 箱体: SOT-23-3
1 O& o& s7 ^8 H; V# o" t5 Y通道数量: 1 Channel # ^4 }: g, R9 I4 @: m. N4 ~7 S
晶体管极性: N-Channel % _# }0 V, o* q( \! e0 Y w! p
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
8 ~; A9 o! ], u+ T, p% }Id-连续漏极电流: 300 mA $ q9 |& y0 q; n" L) e. K- j
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms " o6 h. a: P# \! @
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
1 O+ N6 _2 Y: ]7 e2 I/ vVgs - 栅极-源极电压: 10 V
! y( M! Q2 J6 E- j+ l# ]- f4 }Qg-栅极电荷: 0.4 nC 9 ^! X8 E4 R, M$ `; I8 b
最小工作温度: - 55 C
) [' z* |6 y; A! H' @1 J最大工作温度: + 150 C
+ o, N1 d' s/ ^6 ^# J# j* P& V4 iPd-功率耗散: 0.35 W
x% k/ q& C& Z配置: Single ) O# d( s0 h5 Q' s
通道模式: Enhancement
% K% x# m X& R, V% U" _封装: Cut Tape
+ r! R7 }6 U$ e( r封装: MouseReel
, d4 l4 Q5 {5 b3 ?1 S封装: Reel ?$ J) b$ ?+ \1 V
高度: 1.45 mm ' y* G4 o3 s/ N1 t" C
长度: 2.9 mm 7 ^9 q0 v' C4 s+ y8 ^; Q
系列: 2N7002K
% K5 n- i2 V* \5 I+ U- j1 h! Y晶体管类型: 1 N-Channel 0 W# Z+ [9 Q: m" |/ M o/ r6 K
宽度: 1.6 mm
$ o7 q" g) h, r- M7 r1 h商标: Vishay / Siliconix
, z; H& e: k4 u1 x' S正向跨导 - 最小值: 100 mS / N( H/ i. D" {4 T. ]
CNHTS: 8541210000
J2 V- b! |% B; ~) u- `HTS Code: 8541210095
5 {* W$ ^( C: s4 iMXHTS: 85412101 $ }0 [0 H6 @9 \- H, K: w* I
产品类型: MOSFET , U/ @2 w) v! `& R1 l! B
工厂包装数量: 3000
7 E! }2 O7 l$ U3 o7 B7 ^子类别: MOSFETs $ q2 G% L# [ q- I( A
TARIC: 8541210000 8 T% e% Z9 H# D& y
典型关闭延迟时间: 35 ns
6 a- @$ K8 n$ e典型接通延迟时间: 25 ns
4 y$ O6 f$ `) P1 ^" S* w零件号别名: 2N7002K-GE3
5 X k ^; o2 @" _, D- T, n" I单位重量: 8 mg- @. q0 `5 r' x. W8 y) [* o
- z# d- F7 c4 p, e7 v
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发表于 2019-3-8 14:23
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