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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍: a, ^& _, _/ \: ?1 v
4 t# l% F$ l# x) Z8 B/ s; w
属性& i# H6 s& q/ r) ^; B) Y7 W$ n
制造商: Vishay % L" D0 B. }5 F7 m
产品种类: MOSFET + W4 C! `6 r$ r$ h( F: E7 L
RoHS: 详细信息 8 T4 g; O3 S. P9 E
技术: Si
) f+ K* E' [3 ?# _0 I% v& H安装风格: SMD/SMT 6 M/ R7 r/ k. _. V' a
封装 / 箱体: SOT-23-3 ) F/ j+ m" O4 {
通道数量: 1 Channel ' ]1 ]: s; T" o: I
晶体管极性: N-Channel & N0 V+ d% o9 J( J
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
" p( P7 ~5 I. S y$ ?1 F- R- wId-连续漏极电流: 300 mA 0 v M1 s8 d* @# ]1 K* J1 R
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
0 a, N. i: v2 o; W' n: v8 @: kVgs th-栅源极阈值电压: 1 V
+ \, i# D) m) W! ?6 ~! jVgs - 栅极-源极电压: 10 V
3 i; L$ b- E# Y2 p, j3 n9 cQg-栅极电荷: 0.4 nC
8 T9 F$ |3 M2 ]* \2 T最小工作温度: - 55 C
6 {+ \0 _ ]! F! K. @最大工作温度: + 150 C
) X8 Z9 i$ l7 W+ O) I' `& ZPd-功率耗散: 0.35 W $ B6 w" {6 C7 e% K, p. B. D
配置: Single % S7 X& v/ u x( [, r3 K- A
通道模式: Enhancement 3 R, `5 g2 E$ h9 U1 l( i3 Z
封装: Cut Tape
1 m; @ K6 A; T4 ?9 T* n; }封装: MouseReel % U: T9 J7 [$ }: l) g
封装: Reel
( j8 A+ X" W% m高度: 1.45 mm / W ?7 x- [. V+ n% _: C
长度: 2.9 mm
, j7 }5 d+ j+ o! d# t系列: 2N7002K
+ ~4 h v+ m+ Z, E, L% F3 w2 L晶体管类型: 1 N-Channel ( X! |; h$ C, C4 Y
宽度: 1.6 mm ) T7 [. J5 ^+ \% Z
商标: Vishay / Siliconix
S- K# H9 H' P4 Y; \正向跨导 - 最小值: 100 mS
, `; _1 E l3 ?6 PCNHTS: 8541210000 / L x' Y- q5 K
HTS Code: 8541210095 U. ~/ y7 [7 f' |
MXHTS: 85412101 8 j: d5 ~, \8 p7 u1 Z3 r& ^$ {* h/ s4 u
产品类型: MOSFET
/ ?. B# ~' M7 q$ u9 M, l工厂包装数量: 3000 `/ U: [0 I; ~/ m/ O6 {
子类别: MOSFETs # h' P0 S4 J8 P9 @
TARIC: 8541210000
& ~% t, U' {$ \典型关闭延迟时间: 35 ns # e" H7 Q0 Q& a
典型接通延迟时间: 25 ns
$ V% \8 E& A k, U8 k+ H# P零件号别名: 2N7002K-GE3 5 k$ i8 d0 q& G) f8 K2 s
单位重量: 8 mg
& n) k" s# j4 _" S! a. u( W
6 y9 a2 k2 E( V2 I |
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发表于 2019-3-8 14:23
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