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PIC单片机外部振荡电路设计

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发表于 2019-3-5 13:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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PIC单片机外部振荡电路设计
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晶振设计是单片机应用设计的重要环节之一,因此很有必要了解晶振电路的特点,组成以及如何选用相关电子元件。

PIC单片机有四种振荡方式可供选择,振荡方式经配置寄存器CONFIG的F0SC1,F0SC0位加以选择,并在EPROM编程时写入。

晶体振荡器/陶瓷振荡器:

XT、LP、HS三种方式中,需一晶体或陶瓷谐振器连接到单片机的OSC1/CLKIN和OSC2/CLKOUT引脚上,以建立振荡,如图1所示。电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡下,电阻RF≈10MΩ。对于32KHZ以上的晶体振荡器,当VDD>4.5V时,建议C1=C2≈30PF。(C1:相位调节电容;C2:增益调节电容。)

表1:振荡器类型选择F0SC1F0SC0振荡方式

00低功耗振荡LP(Low Power)

01标准晶体振荡XT(Crystal/Resonator)

10高速晶体振荡HS(High Speed)

11阻容振荡RC(Resistor/Capacitor

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发表于 2019-3-5 23:42 | 只看该作者
看看楼主的电路,谢谢分享
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