|
|
很多问题需要结合实际情况
, M+ t! c, x2 b首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的3 ]& l9 @+ n, X% @! y
对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性
" w# P- @, l) I* _: g K5 f可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html
* j9 A5 q% \7 c" P( S' w最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的 R" w g0 c3 F! W
我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题
3 R. x7 j# }. X' a. X我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
( Z" F' F5 z" w* i9 z6 M你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持/ P! C; r/ ?* y" V9 O" E
因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小3 R( A9 c. y1 F/ L6 g0 r7 N$ u' h* Y) G
/ S' J' D$ m ~, |9 H+ }8 c当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计
8 }9 _* p# Q, j9 L4 ?- ]$ A/ R至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样9 x1 J N/ V* U7 Y
前者指极限参数，发生在电平切换的时候3 ?0 f- r8 x( v2 ~9 }/ N
因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快
) `$ V4 W4 }' h7 p5 g( e但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数: P" ~$ ~) P5 c, I/ ~/ q6 Z
后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样
$ W! P, S/ G+ P$ T/ Q: H K) y是由于介质材料等等原因造成 |
|
/1 
发表于 2009-4-15 09:49
收藏
淘帖
支持！
反对！
楼主