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很多问题需要结合实际情况
! ~# T3 D8 x/ {* c5 ^3 _2 q" S首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的* V3 `# d/ u7 ~* Z2 x1 l2 y
对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性- |5 e" O4 q* S1 V/ X! _/ r
可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html
1 ^4 b' x, N3 W2 m3 q最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
# D) r* K' S2 a6 `我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题0 n' d; v: a% S* }; ]- n1 G. x* N5 W% W& Q
我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
8 w: T K7 `" `( ?" V你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持
) V8 A+ M3 ~$ q9 r$ C因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小/ w. j# u4 S) s6 _: F2 W
4 v4 z5 d) J# s3 M4 S. E( r( W8 _ ]当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计3 @5 m2 a( T+ _. |5 O
至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样, y5 O7 C' r6 n- }8 P
前者指极限参数，发生在电平切换的时候6 [3 `/ A# |# Z
因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快5 z. k( ^# q: ~: W, z. S. V% [3 H
但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数% C, C5 U. V0 G1 F, q5 O0 r1 V
后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样4 h2 h8 N- Z. J' [
是由于介质材料等等原因造成 |
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发表于 2009-4-15 09:49
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