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开关电源变压器各个绕组磁芯干扰的影响-学开关电源必看

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发表于 2019-2-20 07:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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开关电源变压器各个绕组磁芯干扰的影响-学开关电源必看

/ W* H5 V( `; Y* {
* U, j8 ^4 i6 u& o+ U  X' m
变压器各绕组的影响:
# H% Y1 T% F* n, n+ A9 n
1.初级绕组影响变压器饱和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。
$ t9 _1 z0 k& Z+ G
  2.初级绕组影响次级绕组圈数:NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)

8 L' x; [; X6 {# T" v
  3.次级绕组影响反馈绕组:Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns
" E6 H& B& F" f# U) s( H
  4.匝比影响肖特基反向电压:Vd=Vmax/Np*Ns+Vo

. p: D" R! U) {- b: C
  5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np

, h' m6 g" [$ {7 _8 I% E/ y6 D
  6.匝比影响效率:匝比越大效率越高。

+ X1 X5 n; Q" j. _
  7.匝比影响占空比:Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np

- A' m4 H3 R7 s3 r1 z1 G
绕组排列:

  W( x' b5 i/ V5 \! D
1.初级绕组必须在最里层:这样可以缩短每匝导线的长度,减小其分布电容,同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽,降低其电磁干扰。
5 X) L0 Y  y2 e8 l6 e5 J9 m: D
  2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极:利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽,较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。
/ Z+ T& K2 @( w* N, B6 ?# r
  3. 初级绕组设计成2 层以下:这样能把初级分布电容和漏感降到最低,在初级各层间加1 绝缘层,能将分布电容减小到原来的1/4 左右。

5 U/ l# b$ {# t4 r9 I" b# n
  4. 绕制多路输出的次级绕组:输出功率最大的次级绕组应靠近初级,以减小漏感。如次级匝数少,无法绕满一层,可在匝间留间隙以便充满整个骨架,当然最好是采用多股并绕的方法。
8 f$ k# h% J* k9 c
  5. 反馈绕组一般在最外层:此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强,对输出电压的变化反应灵敏,还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。
& {0 F7 y0 h0 H4 y1 w$ `
  6. 屏蔽层的设计:在初、次......

; L2 O+ |) [* }! C& c, x

; |5 i8 T1 d, v9 J1 [

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2#
发表于 2019-2-20 10:42 | 只看该作者
最近正在找这方面的资料 谢谢楼主
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