变压器各绕组的影响: # H% Y1 T% F* n, n+ A9 n
1.初级绕组影响变压器饱和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。 $ t9 _1 z0 k& Z+ G
2.初级绕组影响次级绕组圈数:NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)
8 L' x; [; X6 {# T" v
3.次级绕组影响反馈绕组:Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns " E6 H& B& F" f# U) s( H
4.匝比影响肖特基反向电压:Vd=Vmax/Np*Ns+Vo
. p: D" R! U) {- b: C
5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
, h' m6 g" [$ {7 _8 I% E/ y6 D
6.匝比影响效率:匝比越大效率越高。
+ X1 X5 n; Q" j. _
7.匝比影响占空比:Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
- A' m4 H3 R7 s3 r1 z1 G
绕组排列:
W( x' b5 i/ V5 \! D
1.初级绕组必须在最里层:这样可以缩短每匝导线的长度,减小其分布电容,同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽,降低其电磁干扰。 5 X) L0 Y y2 e8 l6 e5 J9 m: D
2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极:利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽,较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。 / Z+ T& K2 @( w* N, B6 ?# r
3. 初级绕组设计成2 层以下:这样能把初级分布电容和漏感降到最低,在初级各层间加1 绝缘层,能将分布电容减小到原来的1/4 左右。
5 U/ l# b$ {# t4 r9 I" b# n
4. 绕制多路输出的次级绕组:输出功率最大的次级绕组应靠近初级,以减小漏感。如次级匝数少,无法绕满一层,可在匝间留间隙以便充满整个骨架,当然最好是采用多股并绕的方法。 8 f$ k# h% J* k9 c
5. 反馈绕组一般在最外层:此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强,对输出电压的变化反应灵敏,还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。 & {0 F7 y0 h0 H4 y1 w$ `
6. 屏蔽层的设计:在初、次......
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