关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序

fanichicl

关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序


因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、 int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct,
因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。
在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示

) \& l# x# U; ?, x        struct         e2prom_data
        {
        char TEM_compensate;
. P; D) u: C: y, T8 ~* \& }  y        unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1
' j8 p9 w6 ?+ @1 k: n        unsigned char sterilization_time_min[10];
1 U* U6 G1 @1 r  P5 h2 L1 c, p        unsigned char exhaust_times;
        unsigned char prebalance_time_min;
        };
2 l% l+ f& g$ @& Q
! U2 v6 b" a& K. y* i' O- punion sector
9 ]& f& M$ P( F) ^{
$ L# M1 ]% Y% B6 j2 t0 x* e0 z        struct e2prom_data sterlization_data;
* N* X$ B# q: o9 v4 E  ]6 [        unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];
} e2prom;

. M- b9 w# }$ d. c# W
% T; U% [9 c0 X; u0 R6 I) _0 s   联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。
而要读取数据的时候可以通过下面的  void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。
效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。
" I, [: O% X6 o) p9 x  I: l
( a9 P" b( U" R( w4 u( O" n
void read_sector(char secn)
6 J* ?& d! g! V+ Q' c: b: C{
8 I4 o+ R% F3 O% `( E$ c8 ^5 k/ s          int i;
        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;
        for(i=0;i< sizeof(struct        e2prom_data);i++)
        {
        e2prom.storage=Byte_Read( i+ E2prom_sector_start_addr);
        }
          IAP_Disable();
1 D1 K$ O! y* J( G( J; z}

5 ?- x% c  |- \/ q4 B3 y) U
  X/ @, S& y( K& O* evoid write_sector(char secn)
{
        
        int i;
9 A; D" f4 Q, ~) `$ l: f! a: H  z6 R- s        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;
% o; m6 _9 h% W( v
  ~1 P) h3 z; t5 T2 P! {" n8 d
, }; k/ e) m' c6 c3 ]        Sector_Erase(E2prom_sector_start_addr);
        for(i=0;i< sizeof( struct         e2prom_data );i++)
        {
' j7 U7 ^$ T9 t6 K: X8 w) b        Byte_Program(i + E2prom_sector_start_addr, e2prom.storage);
        }
           IAP_Disable();
}

( U8 @8 m3 Y; v3 ~: l
唯一不足的地方是实际数据地址是固定的，如果常年累月读写次数多了的话，EEPROM还是有可能出问题的，下一步改进的地方就是通过实际一个虚拟存储空间来延长EEPROM寿命，
, Q! w% \& j- n" N实际方案是比如一个扇区是1K字节，那么把1k分成256个单元，每个单元4个字节，扇区首单元保存扇区状态，剩余255个单元作为实际存储单元，而每个存储单元又分成2+2布局，前两字节保存实际数据，后两字节保存虚拟地址，1.写入时写入数据紧跟后面写入虚地址VirtAddVarTab(0<=i<NumbOfVar)
2.每个Page第一个地址写入该页状态(Earse,Reveice,Vild)

3 p) c2 [6 X3 i6 g. \相同地址再次写入时不会把上次写的擦掉，而是在模拟EEPROM区尾部未写过的地方再次写入数据、虚地址，
$ v. f! o5 p2 b1 G0 d3、 读的时候是从尾部开始匹配地址，也就是读取最后一次写的内容。
4、模拟EEPROM区分为2页，如果一页满了把这一页内地址不重复的数据复制到另一页后擦除，2页交替使用。

1 y: k, u3 s- P: Z一个代码：

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0 D$ N9 e/ ?1 U$ t
( m( i* Y* x/ R1 \! n
1 ~' t; f. J9 R% R% e% t# Z
% G) I: }3 K) i" R4 w/ u- F% g

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